氧化镓微米线的生长及自驱动日盲紫外光探测器性能研究

发布时间：2021-03-06 03:44

　　Ga₂O₃半导体材料共有六种结构。其中单斜相的β-Ga₂O₃由于具有最好的热力学稳定性,并且可以用作单晶衬底,受到人们广泛的关注和研究。β-Ga₂O₃,禁带宽度为4.9 eV,性能稳定,具有耐高温耐高压,不溶于酸和碱等优良的特性。β-Ga₂O₃的通常被应用在气体探测、电子电力器件和紫外光探测等方面。目前为止,已经报道的β-Ga₂O₃材料具有以下多种形貌:块体单晶、一维的纳米线和纳米带、二维的薄膜和纳米线阵列等。其中,高质量的块体单晶和薄膜难以制备,通常需要昂贵的设备来合成（如MBE、MOCVD等）,而纳米结构的材料又不易于操作。因此利用β-Ga₂O₃材料制作器件成本很高。因此制备出高质量,易于操作且低成本的β-Ga₂O₃单晶是非常有意义的。本文通过化学气相沉积的方法,制备出了高质量的... 

【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校

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【部分图文】：

MgZnO/PANI器件性能a）MgZnO/PNI器件的和光导型MgZnO器件的响应度，插图为MgZnO/PNI器件响应度的对数b）MgZnO/PANI器件的整流曲线，插图中展示的是器件的结构示意图

哈尔滨工业大学理学硕士毕业论文带隙可调等优点，可以通过调节 Mg、日盲波段有响应。但为了使其响应波段问题导致晶体质量的损伤，从而影响响单晶的探测器机所的赵东旭团队开发出了一步法生长行成是由于 VS 过程中 ZnO（950 °C）课题组之前的工作中分别在 1050 °C 3微米带。在一步法生长过程中，由于 Z线先在 1050 °C 阶段形成，随着温度的a2O3的生长温度后 Ga2O3壳在氧化锌壳微米线。

哈尔滨工业大学理学硕士毕业论文（如图 1a），经测试可以观察到当温度高，证明器件是雪崩二极管，雪崩倍增偏压下，响应度可达 1.3 103A/W,相应时机所的申德振等人通过简单的氧化金属 法为，首先通过旋涂的方法将液体金属管式炉中通入高纯氧气在 1050 °C 的条件镓微米线阵列就在 Ga 薄膜表面形成了。沉积 20 nm 的 Au 膜。通过这种方法研制特基结构日盲紫外光探测器，该器件具有能探测，在 0 V 偏压的条件下，器件响应该器件的优点是具有超快的响应速度，]

【参考文献】：
期刊论文
[1]Preparation of Ga2O3 thin film solar-blind photodetectors based on mixed-phase structure by pulsed laser deposition[J]. 吕有明,李超,陈相和,韩瞬,曹培江,贾芳,曾玉祥,刘新科,许望颖,柳文军,朱德亮.  Chinese Physics B. 2019(01)



本文编号：3066379