GaN横向二极管新结构及其电流调控机理研究

发布时间：2021-03-10 05:55

　　作为第三代半导体器件,AlGaN/GaN异质结器件以其高击穿场强、高电子饱和速度以及高二维电子气（2DEG）密度而引起人们的广泛兴趣。相比于传统的Si基器件,AlGaN/GaN器件在功率密度、开关速度、工作温度以及封装尺寸等方面具有明显的优势。其中AlGaN/GaN横向二极管是目前GaN功率开关器件的研究热点,仿真则是研究器件物理特性的重要工具。本文以仿真的形式分别从阳极结构和阴极结构两方面对AlGaN/GaN横向二极管提出创新,提出了混合阳极AlGaN/GaN恒流二极管结构和三维鳍栅型混合阳极薄势垒AlGaN/GaN二极管结构,不仅优化了AlGaN/GaN横向二极管的开启电压和击穿电压等传统性能,还拓宽了其应用范围,本文主要内容如下:（1）首先介绍了TCAD仿真软件和仿真所用的基本理论,对凹槽栅型的AlGaN/GaN横向二极管进行建模,明确物理模型及结构参数,将仿真结果与实际实验结果相对比,验证仿真方案的正确性和可行性。（2）改变凹槽栅型AlGaN/GaN横向二极管的阴极结构,使其具有恒流作用。随后分别从混合阳极对器件导通特性的控制和阴极场板带来的恒流功能两方面阐述了器件的工作原理与... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：78 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

显示了 Si，GaAs，

Si，GaAs，InN，SiC，GaN和Diamond/AlN与温度相关的ni[8,9]

GaN材料的两种晶体结构


本文编号：3074168