Cascode型GaN功率器件的开关过程及损耗分析

发布时间：2021-03-12 06:04

　　共源共栅级联（Cascode）型氮化镓（GaN）功率器件开关过程较为复杂,其开关过程和功率损耗直接影响器件的设计、应用和分阶段建模.由于器件封装成模块结构,很难对内部器件的开关性能进行分析,因此利用同型号耗尽型GaN管与低压Si MOS管搭建外部级联型GaN功率器件,检测双脉冲开关过程中低压Si MOS管漏极电压,从而分析耗尽型GaN管与低压Si MOS管各自的开关过程,以及各自的寄生参数对整管开关特性的影响.推导了考虑寄生电容影响的GaN功率器件的开关损耗计算模型.采用实际Cascode型GaN功率器件,搭建器件开关特性测试硬件平台,研究不同驱动网络参数对开关特性的影响规律.实验结果验证了本文分析方法的正确性. 

【文章来源】：大连海事大学学报. 2020,46(02)北大核心

【文章页数】：8 页

【部分图文】：

Cascode型GaN功率器件结构

Cascode GaN静态伏安特性曲线

图3 双脉冲简化等效电路

【参考文献】：
期刊论文
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硕士论文
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本文编号：3077813