InP HEMT器件建模及PDK技术研究

发布时间：2021-03-13 16:18

　　磷化铟（InP）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件具有高电子迁移率、低噪声、低功耗和高增益的特点,被广泛应用于固态功率毫米波和微波电路中。采用减小器件的栅极长度（L_g）的方法可以提高器件的直流和微波性能,可使器件在更高的频率下工作。紧凑型模型可用于将器件集成到电路设计和仿真的环境中,对InP HEMT模型的研究有深远的意义。工艺设计包（Process Design Kit,PDK）是连接设计制程及EDA设计工具之间的桥梁,PDK技术的研究有助于提升IC设计效率。本文针对InP HEMT器件建模及PDK技术进行了研究。改进的大信号等效电路模型考虑了短栅长的InP HEMT器件出现的短沟道效应,使用分段沟道电流建模的方法来拟合I-V曲线,沟道电流方程和栅电荷方程均连续、高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒规律。改进的小信号等效电路模型参数提取简明,模型精度高。实现结果表明,本文提出的模型同传统模型相比拟合效果更好,实用性强。开发了一70nm InP HEMT工艺的PDK,实现了电路仿真及版图设计功能,可准确地支持IC电路设计。主要的研究内容如下:（1）阐述了InP HEM... 

【文章来源】：杭州电子科技大学浙江省

【文章页数】：86 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

PDK与SDL流程以及设计工具之间的关系

异质结能带结构图

HEMT基本结构及能带图

【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3080535