单晶薄膜体声波谐振器频率温度特性研究

发布时间：2021-03-14 00:06

　　采用离子注入剥离法转移制备了43°Y-切铌酸锂（LiNbO₃,LN）单晶压电薄膜材料,以SiO₂/Mo作为声反射结构制备了固态声反射型薄膜体声波器件。谐振器工作频率约为3 GHz,LN薄膜等效机电耦合系数达到14.15%。对谐振器的频率温度特性进行了表征,结果表明,尽管LN单晶的频率温度系数为（-70～-90）×10^-6/℃,但由于声反射结构中包含有正温度系数的SiO₂层,谐振器的频率温度系数降至-18×10^-6/℃,这表明固态声反射结构能够有效抑制单晶LN薄膜的温漂,获得低频率温度系数的谐振器器件。 

【文章来源】：压电与声光. 2020,42(04)北大核心

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

LN BAW的三维模型图和阻抗-频率响应图

LN BAW谐振器的实际测试结果

LN BAW谐振器的实际测试结果


本文编号：3081145