基于SiC MOSFET的高速永磁同步电机驱动控制技术研究

发布时间：2021-03-15 07:05

　　高速永磁同步电机（HSPMSM）具有功率密度大、控制精度高、体积小等优点,广泛应用于高速空气压缩机等诸多场合。然而,由于定子电感小、电流基波频率高的特点,HSPMSM在驱动控制过程存在相电流谐波含量高、交叉耦合和数字延时影响加重的问题。论文以Si C MOSFET驱动器为基础,研究HSPMSM驱动控制技术,能够有效抑制和解决上述问题。首先,以d-q坐标系下HSPMSM数学模型为基础,建立电机复矢量模型,推导考虑交叉耦合和数字延时的电流环精确模型,为后文电流环稳定性分析奠定理论基础;对Si C MOSFET的开通过程和关断过程分别建模,为下文Si C MOSFET驱动技术研究提供理论指导。其次,研究Si C MOSFET驱动电路设计中相关问题,并提出解决方案。以Si C MOSFET开关过程数学模型为理论依据,以SIMetrix仿真为分析工具,对Si C MOSFET的驱动参数、漏源极过电压及振荡问题、栅极串扰问题进行分析,并提出调整驱动参数、并联吸收电容和添加密勒钳位的优化方案。然后,结合交叉耦合和数字延时问题,研究HSPMSM的电流环稳定性并对电流调节器进行设计。通过FFT分析证明了... 

【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校

【文章页数】：120 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

电流采样电路

母线电压采样电路

驱动主电路原理图


本文编号：3083767