石墨烯/半导体薄膜复合光探测器研究

发布时间：2021-03-16 01:48

　　基于石墨烯/半导体膜杂化物的光探测器由于其超高的性能而引起了国内外的广泛关注,性能优越和重复性高这两个特性对于现代科技中许多依赖一维纳米结构和薄膜结构的光探测器来说至关重要。一维纳米结构的器件由于其对微观环境过度敏感而造成了性能上的差异,而基于薄膜结构的光探测器在性能稳定上则具有更大的优势。本文针对石墨烯/半导体薄膜异质结光探测器进行了完整的制备、性能测试和功能调节,以求制备出更出色的光探测器。论文的第一章介绍了半导体和半导体光探测器的相关知识,阐述了本文的研究背景和研究内容,提出了本文的选题意义和创新点。在第二章中,主要叙述了石墨烯/半导体薄膜异质结光探测器的制备和工作原理,介绍了实验过程中用到的药品和仪器,并对材料形貌和结构的表征设备,进行了详细的阐述。在第三章实验部分中,通过将载流子迁移率极高的石墨烯与电子束镀膜沉积的半导体薄膜复合制备出石墨烯/半导体薄膜异质结光探测器,并进行光响应测试。结果显示,本实验中制备的石墨烯/半导体薄膜异质结光探测器不仅达到了1.7×107A/W的响应度和50 ms左右的响应速度,也展示了高度的重复性。通过这种方法制备的光探测器与传统工艺兼容,在大范围... 

【文章来源】：合肥工业大学安徽省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：75 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

绝缘体、半导体和导体的能带示意图（a）绝缘体（b）半导体（c）导体

半导体的本征吸收示意图

p-n结能带图（a）无光照（b）光照


本文编号：3085192