基于阵列芯片衬底上聚吡咯的药物电控释放

发布时间：2021-03-16 08:25

　　以吡咯（Py）单体为前驱液,腺苷三磷酸（ATP）为掺杂剂,通过恒电流法在阵列芯片衬底上制备聚吡咯-腺苷三磷酸（PPy-ATP）膜。通过扫描电子显微镜（SEM）、能量色散谱（EDS）和傅里叶变换红外光谱（FTIR）对PPy-ATP膜进行了形貌表征、元素分析和结构分析,结果表明ATP成功掺杂到PPy膜中。利用PPy的掺杂-去掺杂特性,在室温条件下研究了直流和交流电位对ATP的控制释放,结果表明释放5 h,直流电位的幅值越大,ATP的释放速率越快,累积释放率越大。对于交流电位,±0.8 V和±0.5 V作用下总的累积释放率相近,前者的累积释放率较后者快,±0.3 V条件下的累积释放率和释放速率都低于±0.5 V下的释放结果。总体来说直流和交流电位作用下的累积释放率明显大于自释放的结果。 

【文章来源】：微纳电子技术. 2020,57(02)北大核心

【文章页数】：6 页

【部分图文】：

电极阵列芯片图

掺杂后与电释放后PPy-ATP膜的SEM图

PPy-ATP膜的FTIR谱图

【参考文献】：
期刊论文
[1]导电聚合物在药物可控释放领域的应用[J]. 宿丹,第凤,邢季,车剑飞,肖迎红.  化学进展. 2014(12)

硕士论文
[1]温敏型聚吡咯药物自动释放体系的制备与性能研究[D]. 戚汝财.厦门大学 2009
[2]智能型聚吡咯药物芯片的制备与性能研究[D]. 田向东.厦门大学 2008



本文编号：3085736