GeTe薄膜的性质、应用及其红外探测研究进展

发布时间：2021-03-16 16:23

　　GeTe基半导体的非晶态,α-GeTe相和β-GeTe相可以相互转换,且在一定条件下稳定存在。利用高浓度空穴掺杂改善GeTe热电和铁电性能,以及非晶相和晶相间的巨大差异和快速切换,使其在热电、自旋器件、相变开关、相变存储等多个领域具有很大的应用前景。此外,GeTe具有窄光学带隙和高载流子迁移率,有望用于高性能红外光电探测,然而其在红外光电探测方面还处于初始阶段。本综述在详述其性质及在热电、相变等领域应用情况的基础上,根据GeTe的光电性质,展望了其在红外光电探测领域方面的应用。 

【文章来源】：红外技术. 2020,42(04)北大核心

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【部分图文】：

GeTe的应用：(a)热电应用示意图；(b)相变开关示意图；(c)相变存储示意图；(d)GeTe(111)的Te端铁电极化示意图；(e)光电应用示意图；(f)其他应用Fig.2TheapplicationsofGeTe:(a)Theschematicsofthermoelectricmaterials;(b)Phasechangeswitch;(c)Phasechangememory;(d)FerroelectricpolarizationofGeTe(111)withtheTetermination;(e)Photoelectric;and(f)Others

GeTe在相变存储领域的应用：(a)不同升温速率下GeTe薄膜的电阻曲线；(b)相变存储单元在两相转变下的I-V曲线；(c)传统平面相变存储单元；(d)Reset模式下的TEM图像；(e)GeTe和(f)GST相变存储单元的耐久性Fig.5TheapplicationsofGeTeinphasechangememory:(a)ThecurveofGeTefilms’resistancemeasuredwithdifferentincreasingheatingrate;(b)TheI-VcurveofaPCMcellinthecrystallineandtheamorphou

GeTe薄膜的能带结构及光学带隙：(a)GeTe的能带结构；(b)Te和Gep轨道的部分态密度图；GeTe薄膜退火前后(c)归一化UV-Vis-NIR吸收光谱和(d)2与hν的关系曲线


本文编号：3086279