不同取向ZnO/NSTO异质结的忆阻及负微分电阻效应

发布时间：2021-03-17 12:41

　　近几年,随着信息技术的快速发展,人们对信息数据存储、快速分类和管理提出了更高的要求。存储器也在不断的更新换代,大多数的研究者期望通过新材料和新技术提升存储器的性能和容量。据报道,研究人员发现忆阻效应不仅可用于非易失性存储器,还可用于类脑神经形态计算和非易失性逻辑运算。氧化锌（ZnO）作为与常规过渡金属氧化物半导体技术兼容的忆阻材料之一,基于ZnO忆阻器的存储能力、整流特性和双极性阻变效应具有诱人的应用潜力。忆阻器大多为金属细丝机制,且目前已经通过扫描透射电子显微镜观察到了金属细丝的生长过程,而界面类型的忆阻器具有便于缩小尺寸,提高集成度的优势。更进一步,忆阻效应可由光照、温度、磁场和湿度等调控,而不同取向异质结的忆阻效应仍未有报道。另外,伴随双极性阻变出现的负微分电阻效应（NDR）调控的研究也不多,尤其是负脉冲幅值/宽度和限制电流的影响。本论文选取掺杂浓度0.7 wt%的单晶Nb:SrTiO₃（NSTO）衬底,通过脉冲激光沉积和磁控溅射技术制备ZnO薄膜。我们发现NSTO衬底不同的取向或预处理都强烈影响ZnO薄膜的面外及面内取向、形貌和电学性质。有趣的是,伴随双极... 

【文章来源】：河南大学河南省

【文章页数】：70 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

不同转换机制的示意图：（a）导电细丝类型；（b）界面类型；（c）相变类型[8]

基于简单二元阴离子迁移的器件中切换过程的示意图[10]

反应后的纳米线（ZnO）和阳离子交换的杂纳米线（ZnO/TiO2）的HAADF-STEM图像和EDS映射

【参考文献】：
期刊论文
[1]脉冲激光沉积法生长的石英基ZnO薄膜特性[J]. 何建廷,魏芹芹,杨淑连,王雅静.  山东理工大学学报(自然科学版). 2019(04)
[2]ZnO薄膜的制备技术与应用领域[J]. 南貌.  电脑知识与技术. 2013(05)
[3]ZnO薄膜材料制备技术及其应用领域研究[J]. 姜明,崔传文.  科技视界. 2012(14)
[4]脉冲激光沉积（PLD）的研究动态与新发展[J]. 高国棉,陈长乐,陈钊,李谭,王永仓,金克新,赵省贵.  材料导报. 2005(02)
[5]脉冲激光沉积（PLD）薄膜技术的研究现状与展望[J]. 戢明,宋全胜,曾晓雁.  真空科学与技术. 2003(01)

硕士论文
[1]蓝宝石衬底上高质量AlN材料生长研究[D]. 冯超.华中科技大学 2011
[2]ZnO薄膜的溶胶凝胶法制备工艺及其性能的研究[D]. 谢学武.中国科学技术大学 2009



本文编号：3087159