基于CGH40010F的连续F类功率放大器仿真与设计
发布时间:2021-03-18 11:58
针对通信技术对通信基站射频前端指标要求日益增高的问题,为了设计更大带宽、更高效率的功率放大器,文中对连续F类功放的设计理论进行深入研究。基于CREE公司的CGH40010F高功率管完成了功放的设计、仿真、制作与调试。在仿真软件的选择上,文中使用的仿真环境为ADS;而在功放制作加工上,文中使用FR4射频板。测试结果表明,所设计的功放在1.7~2.7 GHz工作带宽内,可以实现大于39.5 dBm的输出功率和大于65%的效率。同时,为了解决功放的效率与线性度间的矛盾,对功放进行预失真实验。实验结果表明,在2.6 GHz的工作频点,功放在33 dBm输出时,ACPR可以从-34.5/-33.6 dBc降低为-47.4/-48.3 dBc。
【文章来源】:现代电子技术. 2020,43(16)北大核心
【文章页数】:5 页
【部分图文】:
ACPR定义
功率放大器是通信系统射频前端的重要器件之一,其负责将射频信号放大到指定的功率,然后由天线进行发射。功率放大器的性能关系到发射信号的质量,对于通信的完成起到极其重要的作用。常见的功率放大器种类有:A类、B类、C类、D类、E类和F类。由于通信技术的不断演进,对于功放的指标要求也愈加严苛。A类、B类、C类功放因其效率低下,已逐渐在通信系统中淘汰。F类功放具有较大的工作带宽与工作效率,同时在布板上有较小的体积和成本,因此得到了广泛的应用。F类功放在工作时,通过依靠不同的谐波阻抗,构建漏极电压、电流波形,从而实现更高的效率。在工作时,F类功放工作在半导通状态[8-10]。漏极电压随谐波数量变化情况如图1所示。漏极的电流公式如下:
式中,当γ=0时,即为传统的F类功率放大器。根据式(10)可以得到连续类F功放漏极电压与电流的关系,如图2所示。根据电压电流的关系,可以得到连续类F功放的谐波阻抗:
【参考文献】:
期刊论文
[1]一种高效率E-1/F类GaN HEMT射频功率放大器[J]. 高凯仑,叶焱,谢晋雄,刘太君,许高明. 微波学报. 2019(04)
[2]一种0.13μm CMOS K波段宽带功率放大器[J]. 侯昊民,何进,彭尧,邓天传,王豪,常胜,黄启俊. 微电子学. 2019(05)
[3]基于谐波抑制的内匹配高效GaN功率放大器设计[J]. 张书源,钟世昌. 电子器件. 2019(03)
[4]数字预失真器OP6180在宏基站中的应用[J]. 谭大伦,张海. 通信技术. 2019(06)
[5]基于GaN HEMT的混合EF类功率放大器设计[J]. 程知群,张志维,刘国华,孙昊,蔡勇. 微波学报. 2019(02)
[6]一种W波段SiGe BiCMOS平衡式功率放大器[J]. 徐余龙,施雨,李庄,陶小辉,曹锐,桑磊. 微电子学. 2019(01)
[7]应用于无线通信基站的Doherty功率放大器[J]. 张鑫,王斌,熊梓丞,滕江. 重庆邮电大学学报(自然科学版). 2018(06)
[8]基于GaAs工艺的超宽带混合集成功率放大器[J]. 胡俊,陈晓娟. 微电子学与计算机. 2018(12)
[9]一种VHF频段放大器的数字预失真设计与实现[J]. 杨瑜,徐立. 电子信息对抗技术. 2018(01)
[10]宽频段大功率射频前端的设计问题[J]. 陈斌,黎绍峰,牛绍伍. 电子科技. 2017(09)
硕士论文
[1]高效率线性Doherty功率放大器研究[D]. 李晨.杭州电子科技大学 2019
[2]基于FPGA的宽带数字预失真实现技术研究[D]. 刘亚会.北京邮电大学 2014
本文编号:3088279
【文章来源】:现代电子技术. 2020,43(16)北大核心
【文章页数】:5 页
【部分图文】:
ACPR定义
功率放大器是通信系统射频前端的重要器件之一,其负责将射频信号放大到指定的功率,然后由天线进行发射。功率放大器的性能关系到发射信号的质量,对于通信的完成起到极其重要的作用。常见的功率放大器种类有:A类、B类、C类、D类、E类和F类。由于通信技术的不断演进,对于功放的指标要求也愈加严苛。A类、B类、C类功放因其效率低下,已逐渐在通信系统中淘汰。F类功放具有较大的工作带宽与工作效率,同时在布板上有较小的体积和成本,因此得到了广泛的应用。F类功放在工作时,通过依靠不同的谐波阻抗,构建漏极电压、电流波形,从而实现更高的效率。在工作时,F类功放工作在半导通状态[8-10]。漏极电压随谐波数量变化情况如图1所示。漏极的电流公式如下:
式中,当γ=0时,即为传统的F类功率放大器。根据式(10)可以得到连续类F功放漏极电压与电流的关系,如图2所示。根据电压电流的关系,可以得到连续类F功放的谐波阻抗:
【参考文献】:
期刊论文
[1]一种高效率E-1/F类GaN HEMT射频功率放大器[J]. 高凯仑,叶焱,谢晋雄,刘太君,许高明. 微波学报. 2019(04)
[2]一种0.13μm CMOS K波段宽带功率放大器[J]. 侯昊民,何进,彭尧,邓天传,王豪,常胜,黄启俊. 微电子学. 2019(05)
[3]基于谐波抑制的内匹配高效GaN功率放大器设计[J]. 张书源,钟世昌. 电子器件. 2019(03)
[4]数字预失真器OP6180在宏基站中的应用[J]. 谭大伦,张海. 通信技术. 2019(06)
[5]基于GaN HEMT的混合EF类功率放大器设计[J]. 程知群,张志维,刘国华,孙昊,蔡勇. 微波学报. 2019(02)
[6]一种W波段SiGe BiCMOS平衡式功率放大器[J]. 徐余龙,施雨,李庄,陶小辉,曹锐,桑磊. 微电子学. 2019(01)
[7]应用于无线通信基站的Doherty功率放大器[J]. 张鑫,王斌,熊梓丞,滕江. 重庆邮电大学学报(自然科学版). 2018(06)
[8]基于GaAs工艺的超宽带混合集成功率放大器[J]. 胡俊,陈晓娟. 微电子学与计算机. 2018(12)
[9]一种VHF频段放大器的数字预失真设计与实现[J]. 杨瑜,徐立. 电子信息对抗技术. 2018(01)
[10]宽频段大功率射频前端的设计问题[J]. 陈斌,黎绍峰,牛绍伍. 电子科技. 2017(09)
硕士论文
[1]高效率线性Doherty功率放大器研究[D]. 李晨.杭州电子科技大学 2019
[2]基于FPGA的宽带数字预失真实现技术研究[D]. 刘亚会.北京邮电大学 2014
本文编号:3088279
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