一种基于肖特基二极管的逆导型SOI-LIGBT

发布时间：2021-03-22 01:04

　　提出了一种逆导型（RC）SOI-LIGBT。通过在LIGBT阳极发射结反向并联一个肖特基二极管,在没有增大LIGBT正向导通压降的情况下,消除了传统阳极短路RC-LIGBT在正向导通时的电压折回效应。通过二维仿真软件对器件稳态、瞬态的电学特性进行了分析。仿真结果表明,与传统的SOI-LIGBT、续流二极管相比,该RC-LIGBT具有更高的击穿电压,且击穿电压不受阳极掺杂浓度的影响。该器件的反向恢复电荷减小了15.2%,软度因子提高一倍以上。 

【文章来源】：微电子学. 2020,50(03)北大核心

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

本文RC-LIGBT的剖面和等效电路

本文LIGBT和传统LIGBT的临界击穿电压与P-anode掺杂浓度(NA)的关系曲线如图2所示。可以看出,本文LIGBT的临界击穿电压为368 V,其值不受NA变化的影响。原因是反偏的肖特基二极管漏电流较大,足够用于传导LIGBT体内漂移区的漏电流。本文LIGBT临界击穿时体内阳极侧的电流线分布如图3所示。

本文LIGBT临界击穿时体内阳极侧的电流线分布如图3所示。可以看出,漏电流主要通过N-anode流入。P-anode/N-buffer结被肖特基二极管短路,几乎没有空穴电流通过P-anode流入漂移区。因此,传统LIGBT体内的电流放大效应在本文结构中被有效抑制。而图2中,对于传统LIGBT,随着NA的增加,发射结注入效率变大,在开基区PNP机制的影响下,击穿电压变低。


本文编号：3093733