一种基于WLP封装的声表面波滤波器
发布时间:2021-03-25 11:08
以41°Y-X切型铌酸锂作为基底材料,选择双T型阻抗元结构,采用晶圆级封装(WLP)技术,制作了一款相对带宽5.8%,最小插入损耗为-2.8 dB,体积为1.1 mm×0.9 mm×0.5 mm的小型化WLP封装声表面波滤波器。并研制了专用探卡,对封装后晶圆完成在线测试。测试结果表明,探卡测试结果与装配到实际电路的测试结果进行对比,两者吻合较好,解决了WLP封装声表面波滤波器测试难题。
【文章来源】:压电与声光. 2020,42(04)北大核心
【文章页数】:4 页
【部分图文】:
图1 双T型阻抗元结构
表2 谐振器部分参数 谐振器 换能器对数/对 周期/μm 孔径/μm IE1 90 2.038 50 IE2 90 2.012 30 IE3 90 2.232 1402 WLP封装工艺
WLP封装将芯片进行钝化处理,在其表面覆盖聚酰亚胺(PI)或Si固体介质材料,以实现器件的封装。采用重布线技术将I/O接口以阵列方式分布在介质材料上,并进行凸点制作,完成器件接口制作。本文封装覆膜材料为Si,能提升WLP器件在模块化中模压能力。与传统封装技术相比,封装、测试在划片工序前完成。WLP封装的主要工艺流程,如图3所示。凸点技术是WLP封装的关键技术,本文采用solder ball植球的方式实现凸点制作。与其他技术相比,其成本低,工艺稳定及能实现小球制作[4]。图4为产品实物图。
【参考文献】:
期刊论文
[1]晶圆级WLP封装植球机关键技术研究及应用[J]. 刘劲松,时威,张金志. 制造业自动化. 2015(12)
[2]声表面波器件小型化技术发展概述[J]. 米佳,李辉. 压电与声光. 2012(01)
[3]基于COM参数提取技术设计SAW梯形滤波器[J]. 聂广琳,程红亚,汤劲松. 压电与声光. 2008(01)
[4]SH型声表面波在栅阵中传播特性的变分原理研究[J]. 徐方迁,何世堂. 声学学报. 2007(03)
博士论文
[1]MEMS探卡的设计及制备工艺研究[D]. 靖向萌.上海交通大学 2008
本文编号:3099580
【文章来源】:压电与声光. 2020,42(04)北大核心
【文章页数】:4 页
【部分图文】:
图1 双T型阻抗元结构
表2 谐振器部分参数 谐振器 换能器对数/对 周期/μm 孔径/μm IE1 90 2.038 50 IE2 90 2.012 30 IE3 90 2.232 1402 WLP封装工艺
WLP封装将芯片进行钝化处理,在其表面覆盖聚酰亚胺(PI)或Si固体介质材料,以实现器件的封装。采用重布线技术将I/O接口以阵列方式分布在介质材料上,并进行凸点制作,完成器件接口制作。本文封装覆膜材料为Si,能提升WLP器件在模块化中模压能力。与传统封装技术相比,封装、测试在划片工序前完成。WLP封装的主要工艺流程,如图3所示。凸点技术是WLP封装的关键技术,本文采用solder ball植球的方式实现凸点制作。与其他技术相比,其成本低,工艺稳定及能实现小球制作[4]。图4为产品实物图。
【参考文献】:
期刊论文
[1]晶圆级WLP封装植球机关键技术研究及应用[J]. 刘劲松,时威,张金志. 制造业自动化. 2015(12)
[2]声表面波器件小型化技术发展概述[J]. 米佳,李辉. 压电与声光. 2012(01)
[3]基于COM参数提取技术设计SAW梯形滤波器[J]. 聂广琳,程红亚,汤劲松. 压电与声光. 2008(01)
[4]SH型声表面波在栅阵中传播特性的变分原理研究[J]. 徐方迁,何世堂. 声学学报. 2007(03)
博士论文
[1]MEMS探卡的设计及制备工艺研究[D]. 靖向萌.上海交通大学 2008
本文编号:3099580
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3099580.html