降低有源区颗粒状缺陷密度的晶圆倒角优化工艺

发布时间：2021-03-30 11:40

　　基于28 nm先进工艺平台,研究了有源区工艺中大颗粒状缺陷（LPD）的产生机理及优化方案。研究结果表明,LPD的产生与晶圆边缘倒角形状相关,较短的倒角导致晶圆在CVD工艺中产生背面划伤。划伤产生的颗粒在气体作用下浮到晶圆表面,经过后续工艺步骤后,在有源区硬掩膜氧化层表面形成LPD。提出了改善晶圆边缘倒角形状和嵌入NANO喷洒工艺步骤的优化方案,消除了LPD,提高了产品的合格率。 

【文章来源】：微电子学. 2020,50(04)北大核心

【文章页数】：6 页

【部分图文】：

有源区制作工艺步骤

在AAHMOX中,三类衬底的颗粒状缺陷数量分布如图2所示。可以看出,硅衬底3的缺陷数量明显高于硅衬底1、硅衬底2。三类硅衬底来自于不同的衬底供应商,三者的主要区别在于衬底边缘的倒角形状。衬底1、衬底2的倒角较长,衬底3的倒角较短。硅衬底边缘倒角参数分布如图3所示。图中,A1、A2值代表晶圆倒角的长短。

硅衬底边缘倒角参数分布如图3所示。图中,A1、A2值代表晶圆倒角的长短。AAHMOX中,颗粒状缺陷分布、LPD缺陷、图形缺失缺陷分别如图4(a)、图4(b)、图4(c)所示。


本文编号：3109445