DOE方法在ESD及LU测试故障定位方面的应用研究

发布时间：2021-03-31 11:38

　　介绍了一种通过因果图及DOE（试验设计）对ESD及LU测试中出现的复杂失效问题进行快速分析定位的方法。该方法通过因果图的制定,全面建立可能造成失效的各个层级的影响因子;通过两个层次DOE设计,以最少的测试次数筛选出最关键的影响因子。最终发现I-V曲线测量时电压设定过大以及I-V曲线测量达到一定次数是触发本次失效问题产生的根本原因。该分析方法可以作为ESD及LU测试中失效分析的有力补充。 

【文章来源】：固体电子学研究与进展. 2020,40(03)北大核心

【文章页数】：7 页

【部分图文】：

全因子因果图

重要因子因果图

I-V曲线拐点设置法

【参考文献】：
期刊论文
[1]改进IAHP-CIM模型的雷达组网探测能力评估方法[J]. 崔玉娟,察豪.  国防科技大学学报. 2017(03)
[2]0.13μm IC产品MM模式ESD失效机理[J]. 吴峰霞,申俊亮,蔡斌.  半导体技术. 2013(10)
[3]基于DOE优化设计抛光工艺参数[J]. 卢海参,何良恩,刘建刚.  半导体技术. 2008(05)
[4]D优化的实验设计在IC工艺和器件优化中的应用[J]. 甘学温,Ａ．Ｊ．Ｗａｌｔｏｎ.  微电子学. 1996(05)

博士论文
[1]先进工艺下集成电路的静电放电防护设计及其可靠性研究[D]. 马飞.浙江大学 2014

硕士论文
[1]军用集成电路的可靠性与检测筛选[D]. 张国瑞.南京理工大学 2014



本文编号：3111371