激子效应对半导体量子点拉曼散射的影响

发布时间：2021-04-07 00:50

　　随着半导体制备技术的革新,半导体光电器件进入了一个量子化时代。以量子线、量子环、量子阱和量子点的低维半导体材料研制的光电子器件相继面世。与传统的体材料相比,低维系统对载流子（例如电子,空穴,激子等）的束缚能增强,量子系统中所特有的隧穿效应、局限效应等更加明显,低维半导体材料的物理和化学性质,都发生显著的变化,利用这些人工可控的物理和化学性质,能设计出具有优异光电性能的半导体器件。因此,有必要对低维半导体材料的物理性质和光学性质以及影响这些性质的因素有一个深入的了解。在无损样品的情况下,人们通过拉曼散射光谱对待测材料的结构和物理性质进行高精度、快捷的测量。本文主要在有效质量近似的框架下,对量子点中激子作为中间态的拉曼散射进行理论研究。通过求解不同量子点系统中的定态薛定谔方程,得到系统势函数以及本征能量,理论推导出相应的拉曼散射微分散射截面,通过数值计算,分析量子点尺寸、抛物势频率、分子摩尔分数的改变对低维半导体中拉曼散射谱线的影响。第一章,引言。简述了本文的研究背景以及意义。介绍了低维半导体的发展,氮化物异质结构的特点,低维半导体中激子作为中间态的拉曼散射过程。第二章,研究了抛物势ln<... 

【文章来源】：广州大学广东省

【文章页数】：58 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

电子通过与光子相互作用，吸收一个光子，产生一个电子-空穴对的费曼图

电子-空穴复合，发射一个光子的费曼图

蓝光和紫外光的光电器件的在应用方面的研发中取N/GaN 为代表的 III-V 族低维半导体材料所制成条件下，以高功率工作。这种氮化物异质结，由于压电介电系数的差异，材料内部会存在强度达 M对载流子波函数、本征能量等能带结构具有重要的统中，为了研究内建电场对 lnxGa1 xN/GaN 材料究在抛物势 lnxGa1 xN/GaN 柱形量子点中，电子型物势 lnyGa1 yN/GaN 柱形量子点的模型，径向分aN ( y < ) 包围中心的所组成，z 方向的分量由


本文编号：3122477