带间跃迁量子阱短波红外探测器的研究
发布时间:2021-04-09 04:37
红外探测技术是人眼在更广阔电磁波段的补充和扩展,可以帮助人类探索未知宇宙,观察“黑暗”世界。从诞生至今,红外探测技术在各个领域都发挥着重要作用。其中,短波红外技术由于具有利用反射光成像和穿透雾、霾、尘的特性而获得了人们的广泛关注,并被逐渐应用至成像、遥感、光通信、气体监测和医学诊断等领域。,目前,市场上常见的短波红外探测器主要是基于InGaAS、HgCdTe、InSb和PbS等材料体系,其中最主要的当属InGaAs。通过生长高In组分的InGaAs体材料,InGaAs基短波红外探测器的波长得到了有效扩展。然而,在这个过程中,暗电流的抑制(为了获得较高的信噪比)变得极具挑战性。此外,研究表明,相比于传统短波红外探测技术,大于1.7 μm的扩展波长短波红外技术对夜间辐射和黑体辐射的响应更加宽泛。为此,对扩展波长短波红外探测器开展研究是十分有意义的工作。本课题组在前期研究中发现,在InGaAs/GaAs量子阱等多种材料体系中均存在着PN结对低维半导体中局域载流子的高效抽取作用,同时该现象被证实可用于材料吸收系数的提高。一般来说,低维半导体结构中较小带隙的材料可以实现更长波长的光吸收,带隙较大...
【文章来源】:中国科学院大学(中国科学院物理研究所)北京市
【文章页数】:135 页
【学位级别】:博士
【部分图文】:
光谱辐射出射度的普朗克(Planck)定律曲线
格 3.2 列出了这四个样品衬底峰和外延膜衍射峰的半峰宽。根据半峰以大致判断出 483℃生长的样品的质量最好。XRD 半峰宽可以反映完整性,如果晶体内部有较多的结构缺陷,如点缺陷和位错等,反映会出现展宽的现象,因此半峰宽越小的样品其晶体质量会更好。表格图 3.3 样品(004)面的 X 射线衍射谱图
图 5.3 是室温下样品沿(004)衍射面的高分辨 X 射线衍射对称 ω-2θ 扫描。从图中可以清晰地看到两个衍射主峰和量子阱的各级卫星峰。根据数据比衍射峰半峰宽的比较,我们认为左边半峰宽更小的主峰为 InP 衬底的(00衍射峰,右边的峰为 InGaAs 材料的(004)面衍射峰。峰位不重合说明 InG InP 衬底不是完全晶格匹配的,这可能是因为生长过程中束源炉温度不稳定的。根据两峰的布拉格角间距计算得到整个结构中的平均 In 组分为 0.49,计值 0.53 有较大出入。根据公式我们知道,一个周期中阱和垒的厚度和为: = = (其中,LW+B是 InAs 量子阱单层厚度与 InGaAs 垒单层厚度之和,ΔθP是相级衍射峰的角度之差,为 0.19°,θB为 InP(004)面衍射主峰的布拉格角度图 5.3 InAs/InGaAs 带间跃迁量子阱红外探测器(004)面 X 射线衍射曲线
【参考文献】:
期刊论文
[1]Room-temperature operating extended short wavelength infrared photodetector based on interband transition of InAsSb/GaSb quantum well[J]. 孙令,王禄,鲁金蕾,刘洁,方俊,谢莉莉,郝智彪,贾海强,王文新,陈弘. Chinese Physics B. 2018(04)
[2]Improvement of green InGaN-based LEDs efficiency using a novel quantum well structure[J]. 李阳锋,江洋,迭俊珲,王彩玮,严珅,马紫光,吴海燕,王禄,贾海强,王文新,陈弘. Chinese Physics B. 2017(08)
[3]Direct observation of the carrier transport process in InGaN quantum wells with a pn-junction[J]. 吴海燕,马紫光,江洋,王禄,杨浩军,李阳锋,左朋,贾海强,王文新,周钧铭,刘伍明,陈弘. Chinese Physics B. 2016(11)
[4]Direct Observation of Carrier Transportation Process in InGaAs/GaAs Multiple Quantum Wells Used for Solar Cells and Photodetectors[J]. 孙庆灵,王禄,江洋,马紫光,王文奇,孙令,王文新,贾海强,周均铭,陈弘. Chinese Physics Letters. 2016(10)
[5]Carrier transport in III–V quantum-dot structures for solar cells or photodetectors[J]. 王文奇,王禄,江洋,马紫光,孙令,刘洁,孙庆灵,赵斌,王文新,刘伍明,贾海强,陈弘. Chinese Physics B. 2016(09)
[6]新型亚波长陷光结构HgCdTe红外探测器研究进展[J]. 胡伟达,梁健,越方禹,陈效双,陆卫. 红外与毫米波学报. 2016(01)
[7]320×256元InAs/GaSb II类超晶格中波红外双色焦平面探测器[J]. 白治中,徐志成,周易,姚华城,陈洪雷,陈建新,丁瑞军,何力. 红外与毫米波学报. 2015(06)
[8]超高真空拉曼光学显微镜及应用研究[J]. 王志刚,张朝晖. 光散射学报. 2015(02)
[9]Laser beam induced current microscopy and photocurrent mapping for junction characterization of infrared photodetectors[J]. QIU WeiCheng,HU WeiDa. Science China(Physics,Mechanics & Astronomy). 2015(02)
[10]第三代红外探测器的发展与选择[J]. 史衍丽. 红外技术. 2013(01)
本文编号:3126931
【文章来源】:中国科学院大学(中国科学院物理研究所)北京市
【文章页数】:135 页
【学位级别】:博士
【部分图文】:
光谱辐射出射度的普朗克(Planck)定律曲线
格 3.2 列出了这四个样品衬底峰和外延膜衍射峰的半峰宽。根据半峰以大致判断出 483℃生长的样品的质量最好。XRD 半峰宽可以反映完整性,如果晶体内部有较多的结构缺陷,如点缺陷和位错等,反映会出现展宽的现象,因此半峰宽越小的样品其晶体质量会更好。表格图 3.3 样品(004)面的 X 射线衍射谱图
图 5.3 是室温下样品沿(004)衍射面的高分辨 X 射线衍射对称 ω-2θ 扫描。从图中可以清晰地看到两个衍射主峰和量子阱的各级卫星峰。根据数据比衍射峰半峰宽的比较,我们认为左边半峰宽更小的主峰为 InP 衬底的(00衍射峰,右边的峰为 InGaAs 材料的(004)面衍射峰。峰位不重合说明 InG InP 衬底不是完全晶格匹配的,这可能是因为生长过程中束源炉温度不稳定的。根据两峰的布拉格角间距计算得到整个结构中的平均 In 组分为 0.49,计值 0.53 有较大出入。根据公式我们知道,一个周期中阱和垒的厚度和为: = = (其中,LW+B是 InAs 量子阱单层厚度与 InGaAs 垒单层厚度之和,ΔθP是相级衍射峰的角度之差,为 0.19°,θB为 InP(004)面衍射主峰的布拉格角度图 5.3 InAs/InGaAs 带间跃迁量子阱红外探测器(004)面 X 射线衍射曲线
【参考文献】:
期刊论文
[1]Room-temperature operating extended short wavelength infrared photodetector based on interband transition of InAsSb/GaSb quantum well[J]. 孙令,王禄,鲁金蕾,刘洁,方俊,谢莉莉,郝智彪,贾海强,王文新,陈弘. Chinese Physics B. 2018(04)
[2]Improvement of green InGaN-based LEDs efficiency using a novel quantum well structure[J]. 李阳锋,江洋,迭俊珲,王彩玮,严珅,马紫光,吴海燕,王禄,贾海强,王文新,陈弘. Chinese Physics B. 2017(08)
[3]Direct observation of the carrier transport process in InGaN quantum wells with a pn-junction[J]. 吴海燕,马紫光,江洋,王禄,杨浩军,李阳锋,左朋,贾海强,王文新,周钧铭,刘伍明,陈弘. Chinese Physics B. 2016(11)
[4]Direct Observation of Carrier Transportation Process in InGaAs/GaAs Multiple Quantum Wells Used for Solar Cells and Photodetectors[J]. 孙庆灵,王禄,江洋,马紫光,王文奇,孙令,王文新,贾海强,周均铭,陈弘. Chinese Physics Letters. 2016(10)
[5]Carrier transport in III–V quantum-dot structures for solar cells or photodetectors[J]. 王文奇,王禄,江洋,马紫光,孙令,刘洁,孙庆灵,赵斌,王文新,刘伍明,贾海强,陈弘. Chinese Physics B. 2016(09)
[6]新型亚波长陷光结构HgCdTe红外探测器研究进展[J]. 胡伟达,梁健,越方禹,陈效双,陆卫. 红外与毫米波学报. 2016(01)
[7]320×256元InAs/GaSb II类超晶格中波红外双色焦平面探测器[J]. 白治中,徐志成,周易,姚华城,陈洪雷,陈建新,丁瑞军,何力. 红外与毫米波学报. 2015(06)
[8]超高真空拉曼光学显微镜及应用研究[J]. 王志刚,张朝晖. 光散射学报. 2015(02)
[9]Laser beam induced current microscopy and photocurrent mapping for junction characterization of infrared photodetectors[J]. QIU WeiCheng,HU WeiDa. Science China(Physics,Mechanics & Astronomy). 2015(02)
[10]第三代红外探测器的发展与选择[J]. 史衍丽. 红外技术. 2013(01)
本文编号:3126931
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