基于电荷控制模型的通用忆阻器仿真器

发布时间：2021-04-09 21:36

　　针对忆阻器尚未商业化的现状,为了给忆阻器的相关研究提供一种可替代的仿真器,在HP模型的基础上推导出一种简单通用的电荷控制模型,设计并实现了一款基于模拟器件的荷控仿真器。利用软件PSPICE对仿真器的伏安特性进行了仿真分析和优化,同时采用印刷线路板技术加工制作了仿真器实物电路。仿真和测试结果表明,在正弦信号激励下忆阻器仿真器展现出典型的非线性磁滞回线特性,且该荷控忆阻器仿真电路结构简单,易于加工,在实际电路的应用方面具有一定的参考价值。 

【文章来源】：电子元件与材料. 2020,39(08)北大核心CSCD

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

第二代电流传输器电路(CCII+)

简单的荷控忆阻器仿真器的原理图

为验证本文中图2所示的忆阻器仿真电路的可行性,在忆阻器的输入端口输入峰值为2 V,频率为500 Hz的正弦信号,其输入电压与通过仿真器的输入电流的波形如图3所示。从图3可以看出该忆阻器的电导(即dI/dV)在不同的区域呈现不同的值,因此忆阻器的阻值是可变的。输入电压与电流的变化不一致,从而使得忆阻器的阻值能够发生变化。图4为忆阻器仿真器在500 Hz输入信号下的电压电流特性曲线。从图4可以看出,忆阻器的阻值随电流不同而不同,一般同一个电流值对应二个电压值,从而使得忆阻器的阻值在某特定的阻值范围内变化。图4 忆阻器电路在500 Hz输入信号下的电压电流特性曲线


本文编号：3128356