基于天线优化的GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器

发布时间：2021-04-10 16:36

　　介绍了一种基于天线优化的GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的高灵敏度室温太赫兹探测器。在太赫兹波辐射下,太赫兹天线可以高效收集太赫兹波的能量进而提高探测器的性能指标。利用有限时域差分（FDTD）法对太赫兹天线的特征尺寸（源、漏极天线之间的间距Lw以及栅极天线的栅长Lg）进行了优化研究。研究结果表明当Lg一定时,探测器的响应度随着Lw的减小而增大,并从实验上制备出了响应度为9.45×102 V/W的室温GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器。对优化后的器件进行了1×9线阵列探测器的制备和测试,探测器的电学特性一致性较好,响应度仅有约10%的误差。 

【文章来源】：微纳电子技术. 2017,54(10)北大核心

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
0 引言
1 场效应自混频探测原理及仿真计算
2 实验结果和讨论
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]HEMT太赫兹探测器响应度和NEP的检测与分析[J]. 杨昕昕,孙建东,秦华.  微纳电子技术. 2013(02)
[2]蝶形天线增强的HEMT室温太赫兹探测器[J]. 孙建东,孙云飞,周宇,张志鹏,林文魁,曾春红,吴东岷,张宝顺,秦华.  微纳电子技术. 2011(04)



本文编号：3129973