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低温银浆料合成及其烧结性能研究

发布时间:2021-04-11 18:04
  导电浆料作为电子元器件封装、互连的重要材料被广泛应用,随着无铅化技术的发展以及芯片大功率、高集成度的需求,对导电浆料提出了更高的需求,本课题旨在开发用于陶瓷基板金属化的高导电、低温烧结浆料,来满足高频、大功率器件以及特殊封装的需求。本课题研究分两部分进行:第一部分是低温无铅玻璃料的开发,测试其成玻区间及热性能,并通过红外、拉曼分析网络结构来解释相应性能变化规律。得出结论,玻璃料Tg、FWHM都是随Bi2O3含量增加而减小,原因是随着Bi-O网络结构整体增加,Bi-O键相对于B-O键键能小,断键需要能量更低,软化点低,结构越容易断键重排、析晶,硼氧单元增多将会增加玻璃化转变温度提高热稳定性,且B2O3含量增加时红外吸收带宽将变宽,最终制备出了30Bi2O3-55B2O3-15ZnO组分的玻璃料的Tg=360℃,ΔT=187℃,此种玻璃料430℃以上可对陶瓷基板有个良好的润湿。第二部分是低温银导电浆料的开发,从玻璃料... 

【文章来源】:哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校

【文章页数】:72 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

低温银浆料合成及其烧结性能研究


厚膜浆料基本结构

方阻,厚膜,烧结温度


图 1-2 烧结温度 400-550℃ 下厚膜方阻[27]k 等人[28]将一定量 20-50 nm 的银粉添加到平均尺寸为 1.6 μm 相混合制得导电浆料(N20G3/N10G3/N10G6)在 400-550 ℃入纳米粒子反而会产生孔洞,在相同烧结温度下 N20G3 浆料重,N10G3 比 N20G3 烧成后银膜表面更光滑,且 N10G3 与 增加玻璃料含量能减小厚膜的电阻率,如图 1-3 所示。

厚膜电阻,烧结温度,导电浆料


图 1-2 烧结温度 400-550℃ 下厚膜方阻[27]人[28]将一定量 20-50 nm 的银粉添加到平均尺寸为 1.6 μm 混合制得导电浆料(N20G3/N10G3/N10G6)在 400-550 ℃纳米粒子反而会产生孔洞,在相同烧结温度下 N20G3 浆料,N10G3 比 N20G3 烧成后银膜表面更光滑,且 N10G3 与 N加玻璃料含量能减小厚膜的电阻率,如图 1-3 所示。

【参考文献】:
期刊论文
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硕士论文
[1]Bi2O3-B2O3-ZnO系低熔点无铅封接玻璃结构与熔体性质研究[D]. 邓大伟.武汉理工大学 2011
[2]无铅玻璃粉的制备及性能研究[D]. 朱华.昆明理工大学 2011
[3]应用于AlN陶瓷混合结合厚膜金属化浆料的研究[D]. 纪成光.天津大学 2008



本文编号:3131708

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