低温银浆料合成及其烧结性能研究
发布时间:2021-04-11 18:04
导电浆料作为电子元器件封装、互连的重要材料被广泛应用,随着无铅化技术的发展以及芯片大功率、高集成度的需求,对导电浆料提出了更高的需求,本课题旨在开发用于陶瓷基板金属化的高导电、低温烧结浆料,来满足高频、大功率器件以及特殊封装的需求。本课题研究分两部分进行:第一部分是低温无铅玻璃料的开发,测试其成玻区间及热性能,并通过红外、拉曼分析网络结构来解释相应性能变化规律。得出结论,玻璃料Tg、FWHM都是随Bi2O3含量增加而减小,原因是随着Bi-O网络结构整体增加,Bi-O键相对于B-O键键能小,断键需要能量更低,软化点低,结构越容易断键重排、析晶,硼氧单元增多将会增加玻璃化转变温度提高热稳定性,且B2O3含量增加时红外吸收带宽将变宽,最终制备出了30Bi2O3-55B2O3-15ZnO组分的玻璃料的Tg=360℃,ΔT=187℃,此种玻璃料430℃以上可对陶瓷基板有个良好的润湿。第二部分是低温银导电浆料的开发,从玻璃料...
【文章来源】:哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】:72 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
厚膜浆料基本结构
图 1-2 烧结温度 400-550℃ 下厚膜方阻[27]k 等人[28]将一定量 20-50 nm 的银粉添加到平均尺寸为 1.6 μm 相混合制得导电浆料(N20G3/N10G3/N10G6)在 400-550 ℃入纳米粒子反而会产生孔洞,在相同烧结温度下 N20G3 浆料重,N10G3 比 N20G3 烧成后银膜表面更光滑,且 N10G3 与 增加玻璃料含量能减小厚膜的电阻率,如图 1-3 所示。
图 1-2 烧结温度 400-550℃ 下厚膜方阻[27]人[28]将一定量 20-50 nm 的银粉添加到平均尺寸为 1.6 μm 混合制得导电浆料(N20G3/N10G3/N10G6)在 400-550 ℃纳米粒子反而会产生孔洞,在相同烧结温度下 N20G3 浆料,N10G3 比 N20G3 烧成后银膜表面更光滑,且 N10G3 与 N加玻璃料含量能减小厚膜的电阻率,如图 1-3 所示。
【参考文献】:
期刊论文
[1]电子封装基板材料研究进展及发展趋势[J]. 曾小亮,孙蓉,于淑会,许建斌,汪正平. 集成技术. 2014(06)
[2]亚微米球形金粉的制备与应用[J]. 赵科良,田发香,王大林,赵莹,陆冬梅. 电子元件与材料. 2013(10)
[3]电子浆料用有机载体的研究现状及发展趋势[J]. 张飞进,朱晓云. 材料导报. 2013(03)
[4]环氧树脂–银粉复合导电银浆的制备[J]. 杨颖,何为,王守绪,陈苑明,胡可. 电子元件与材料. 2010(05)
[5]LED封装中的散热研究[J]. 张楼英,李朝林. 电子与封装. 2009(05)
[6]钨导体浆料的制备研究[J]. 尹海鹏,朱宏. 新技术新工艺. 2007(07)
[7]电子浆料用有机载体的挥发性能[J]. 罗世永,庞远燕,郝燕萍,陈强. 电子元件与材料. 2006(08)
[8]导电胶导电性能的实验研究[J]. 秦连城. 光学精密工程. 2005(S1)
[9]铜粉丙烯酸酯胶粘剂导电机理的探讨[J]. 陈月辉,王继虎,王锦成,吴云峰,吴建荣. 上海工程技术大学学报. 2005(03)
[10]贱金属电子浆料导电机理研究[J]. 孙文通. 电子元件与材料. 1997(03)
硕士论文
[1]Bi2O3-B2O3-ZnO系低熔点无铅封接玻璃结构与熔体性质研究[D]. 邓大伟.武汉理工大学 2011
[2]无铅玻璃粉的制备及性能研究[D]. 朱华.昆明理工大学 2011
[3]应用于AlN陶瓷混合结合厚膜金属化浆料的研究[D]. 纪成光.天津大学 2008
本文编号:3131708
【文章来源】:哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】:72 页
【学位级别】:硕士
【部分图文】:
厚膜浆料基本结构
图 1-2 烧结温度 400-550℃ 下厚膜方阻[27]k 等人[28]将一定量 20-50 nm 的银粉添加到平均尺寸为 1.6 μm 相混合制得导电浆料(N20G3/N10G3/N10G6)在 400-550 ℃入纳米粒子反而会产生孔洞,在相同烧结温度下 N20G3 浆料重,N10G3 比 N20G3 烧成后银膜表面更光滑,且 N10G3 与 增加玻璃料含量能减小厚膜的电阻率,如图 1-3 所示。
图 1-2 烧结温度 400-550℃ 下厚膜方阻[27]人[28]将一定量 20-50 nm 的银粉添加到平均尺寸为 1.6 μm 混合制得导电浆料(N20G3/N10G3/N10G6)在 400-550 ℃纳米粒子反而会产生孔洞,在相同烧结温度下 N20G3 浆料,N10G3 比 N20G3 烧成后银膜表面更光滑,且 N10G3 与 N加玻璃料含量能减小厚膜的电阻率,如图 1-3 所示。
【参考文献】:
期刊论文
[1]电子封装基板材料研究进展及发展趋势[J]. 曾小亮,孙蓉,于淑会,许建斌,汪正平. 集成技术. 2014(06)
[2]亚微米球形金粉的制备与应用[J]. 赵科良,田发香,王大林,赵莹,陆冬梅. 电子元件与材料. 2013(10)
[3]电子浆料用有机载体的研究现状及发展趋势[J]. 张飞进,朱晓云. 材料导报. 2013(03)
[4]环氧树脂–银粉复合导电银浆的制备[J]. 杨颖,何为,王守绪,陈苑明,胡可. 电子元件与材料. 2010(05)
[5]LED封装中的散热研究[J]. 张楼英,李朝林. 电子与封装. 2009(05)
[6]钨导体浆料的制备研究[J]. 尹海鹏,朱宏. 新技术新工艺. 2007(07)
[7]电子浆料用有机载体的挥发性能[J]. 罗世永,庞远燕,郝燕萍,陈强. 电子元件与材料. 2006(08)
[8]导电胶导电性能的实验研究[J]. 秦连城. 光学精密工程. 2005(S1)
[9]铜粉丙烯酸酯胶粘剂导电机理的探讨[J]. 陈月辉,王继虎,王锦成,吴云峰,吴建荣. 上海工程技术大学学报. 2005(03)
[10]贱金属电子浆料导电机理研究[J]. 孙文通. 电子元件与材料. 1997(03)
硕士论文
[1]Bi2O3-B2O3-ZnO系低熔点无铅封接玻璃结构与熔体性质研究[D]. 邓大伟.武汉理工大学 2011
[2]无铅玻璃粉的制备及性能研究[D]. 朱华.昆明理工大学 2011
[3]应用于AlN陶瓷混合结合厚膜金属化浆料的研究[D]. 纪成光.天津大学 2008
本文编号:3131708
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