BaTiO 3 /ZnO外延异质结的生长和电学性质

发布时间：2021-04-18 03:35

　　当今世界信息技术的快速发展是离不开非易失性存储器件性能的不断提高的。为了获得性能更加优异的存储器,大量的研究者都在找寻常规存储器的替代品。在研究中发现,许多氧化物材料中都存在着电阻开关的现象,大部分都具有能够应用于非易失性阻变存储器（ReRAM）中的潜能。其中传统的非易失性存储器的机制可以分为两类,一类是离子机制,而另一类是电子机制,和离子机制相比较,电子机制的阻变效应占据着主要的位置。但是一般的电阻开关的电子机制都与器件的缺陷有关,然而缺陷是不容易控制的,这也是传统的阻变开关材料没有实现广泛商用的原因之一。铁电/半导体异质结构在近年来是一个热门的器件结构应用,它不仅拥有界面效应而且还具有可调节的光子带隙,因此,此结构的设计和研究逐渐成为一个新的热点。异质结中所包含的半导体材料的自发晶格偏振为铁电状态的变化提供了一个附加的自由度。在近几年,铁电/半导体异质结作为一种电阻开关器件已经被发现拥有巨大的开关比,其主要原因是它的势垒高度和宽度是可以同时调节的。忆阻器可以由多种材料以及多种的结构来构成,而一个典型的忆阻器是由类电容或平行的金属-氧化物-金属（MIM）结构组成的。BaTiO3是一种... 

【文章来源】：河南大学河南省

【文章页数】：61 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

纤锌矿型结构

铁电场效应晶体管（FFET）存储器它具更为简单，并且还存在着存储的速度和的重要的发展方向与大势所趋。FFET 中的，并且它是通过栅极极化状态来实现对大小以便用来读取存储信息的一电材料的一些具体应用。）的性质构性熔融化合物，熔点是 1618°C。它在 BaTiO3是属于非铁电的六方晶系 6/mm处于稳定状态的。而在 1460~130°C 温。如图 1-2 所示。

电介质的总共有三种电极化方式，分别是移极化。对于 BaTiO3，经过物理学家的严主要是来自于 Ti4+的离子位移的极化，以数的 BaTiO3晶胞组成的。当立方 BaTiO3发极化的现象，并进行立方相向四方相的分相互临近的晶胞，是沿原来立方晶胞的临近的晶胞，它们可能会沿着原立方晶胞成四方相后，晶体就会出现晶胞小单元，晶胞小单元为电畴。也就是说，当降低温极化，而自发极化它会引起表面静电相互BaTiO3的极化是随着电场的变化而变化的，如图 1-3 所示。

【参考文献】：
期刊论文
[1]Asymmetric reversible diode-like resistive switching behaviors in ferroelectric BaTiO3 thin films[J]. 张飞,林远彬,吴昊,苗青,巩纪军,陈继培,吴素娟,曾敏,高兴森,刘俊明.  Chinese Physics B. 2014(02)
[2]宽禁带电力电子器件研发新进展[J]. 陈治明.  机械制造与自动化. 2005(06)
[3]当前铁电学和铁电材料研究的几个问题[J]. 肖定全.  压电与声光. 1996(01)

博士论文
[1]ZnO薄膜制备及性质研究[D]. 马勇.重庆大学 2004

硕士论文
[1]ZnO透明导电薄膜和Se掺ZnO纳米材料的制备及其光电性能的研究[D]. 王昊午.河南大学 2012
[2]磁控溅射沉积氮化铝薄膜及其光学性能的研究[D]. 李海翼.南昌大学 2010



本文编号：3144719