在片微波参数测量系统计量技术进展

发布时间：2021-04-18 08:42

　　在片微波参数测量系统主要通过探针台建立微波仪器与半导体裸芯片之间的信号连接通道,从而测量半导体裸芯片的微波参数。在片微波参数测量系统对提升芯片的性能,控制质量,保证芯片的一致性和稳定性方面具有重要的意义。国外相关的计量技术与测量系统同步发展,我国由于半导体产业起步较晚,测试系统大多采用进口,相关计量测试技术在过去很长一段时间发展相对缓慢。最近10年我国奋起直追,不断缩小与世界先进水平的差距,目前已经完成40 GHz以内的主要在片微波参数测量系统计量能力。文中回顾了本领域的技术发展历程,介绍国内外技术发展特点,对于进一步发展相关计量技术具有指导意义。 

【文章来源】：微波学报. 2020,36(04)北大核心CSCD

【文章页数】：6 页

【部分图文】：

在片S参数测量系统结构组成图

当前最具代表性的在片噪声参数测量系统如图2所示,其组成包括带内置噪声选件的矢量网络分析仪、噪声源、偏置网络、阻抗调配器、探针台、前置低噪放。2.2 国外计量技术发展现状和趋势

随着科学技术的进步和信息产业的发展,微波功率器件广泛应用于雷达、电子对抗、基站、广播电视等系统,微波功率器件的需求在快速增长,因此,功率器件参数的测量技术日益重要。测量参数中的功率、附加效率、增益、线性度等都与阻抗有关[23]。为解决上述测量需求,在片负载牵引测量系统应运而生,其主要由阻抗调配器、微波功率计、探针台、微波探针、功率放大器、信号源、偏置网络、衰减器等组成,见图3。3.2 国外计量技术发展现状和趋势

【参考文献】：
期刊论文
[1]提高大反射负载牵引测量准确度研究[J]. 栾鹏,王一帮,杜静,霍晔,吴爱华.  中国测试. 2020(06)
[2]110 GHz可溯源的On-wafer GaAs基Multi-TRL校准标准件研制[J]. 袁思昊,刘欣萌,黄辉.  计量学报. 2019(05)
[3]在片Multi-TRL校准技术研究[J]. 王一帮,栾鹏,孙静,刘晨,吴爱华,梁法国.  中国测试. 2018(04)
[4]无源器件噪声标准值计算方法的研究[J]. 吴爱华,刘晨,王一帮,梁法国.  计量学报. 2018(01)
[5]GaAs衬底共面波导S参数标准样片研制[J]. 殷玉喆,张旭勤,高猛,张继平.  微波学报. 2017(05)
[6]基于Multi-TRL算法的传输线特征阻抗定标[J]. 王一帮,栾鹏,吴爱华,梁法国,孙静.  计量学报. 2017(02)
[7]宽带在片SOLT校准件研制及表征[J]. 刘晨,吴爱华,孙静,梁法国.  计量学报. 2017(01)
[8]提取共面微波探针S参数的方法[J]. 吴爱华,楼红英,刘晨,孙静,梁法国.  微波学报. 2016(02)
[9]在片功率参数校准方法研究[J]. 刘晨,孙静,梁法国,吴爱华,张立飞.  宇航计测技术. 2016(01)
[10]单片电路晶体管模型参数提取专用TRL校准件[J]. 刘晨,孙静,吴爱华,栾鹏,郑延秋,梁法国.  计算机与数字工程. 2015(01)



本文编号：3145182