载流子平衡方法提高量子点发光二极管效率的研究
发布时间:2021-04-21 17:32
尝试采用三种方式来平衡载流子的浓度,以提高量子点发光二极管(QLED)的外量子效率等性能:在正装结构(ITO/HIL/HTL/QD/ETL/EIL/金属阴极)的QLED的发光层和电子传输层中间插入超薄聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)电子阻挡层;在空穴注入和传输层方面,通过使用更加优化的HIL等来提高空穴注入和传输几率;在QD发光层方面,用短链配体来置换量子点的长链配体以增加载流子向量子点发光层中的传输效率等。在进行量子点配体交换的同时带来了量子点在正交溶剂中的可溶性优势,有利于QLED器件的全溶液法制备。
【文章来源】:半导体光电. 2020,41(05)北大核心
【文章页数】:6 页
【文章目录】:
0 引言
1 实验
1.1 实验材料
1.2 器件制备
1.2.1 基板清洗
1.2.2 含PMMA电子阻挡层的QLED制备
1.2.3 以NiO,NiO∶Mg为HIL材料的QLED器件制备
1.2.4 以3-巯基丙酸(MPA)和11-磺酰癸烯酸(MUA)做配体的量子点QLED器件制备
2 讨论与分析
2.1 PMMA电子阻挡层对QLED器件的影响
2.2 NiO,NiO∶Mg作为HIL材料对QLED器件的影响
2.3 量子点材料改性的新尝试———巯基酸功能配体交换
3 结论
本文编号:3152186
【文章来源】:半导体光电. 2020,41(05)北大核心
【文章页数】:6 页
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0 引言
1 实验
1.1 实验材料
1.2 器件制备
1.2.1 基板清洗
1.2.2 含PMMA电子阻挡层的QLED制备
1.2.3 以NiO,NiO∶Mg为HIL材料的QLED器件制备
1.2.4 以3-巯基丙酸(MPA)和11-磺酰癸烯酸(MUA)做配体的量子点QLED器件制备
2 讨论与分析
2.1 PMMA电子阻挡层对QLED器件的影响
2.2 NiO,NiO∶Mg作为HIL材料对QLED器件的影响
2.3 量子点材料改性的新尝试———巯基酸功能配体交换
3 结论
本文编号:3152186
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