有蜡贴片工艺对4英寸SiC抛光片几何参数的影响

发布时间：2021-04-22 11:12

　　研究了单面抛光中有蜡贴片工艺对抛光后4英寸（1英寸=2.54 cm）SiC晶片总厚度变化（TTV）和翘曲度的影响。分别选择固体蜡和液体蜡进行贴片实验,采用平面度测量仪检测加工前后晶片的TTV和翘曲度,采用数显千分表测量贴片及单面抛光后晶片表面5点厚度的变化。发现采用液体蜡贴片时,加工晶片的TTV较好,蜡层的均匀性是影响晶片TTV的主要原因,蜡层厚度均匀性差会使晶片TTV变差,同时也会使晶片发生不规则的形变。并且分析了旋涂参数对液体蜡蜡层均匀性的影响。结果表明,在滴蜡时间为2.3 s、低速旋转速度为700 r/min、低速旋转时间为6 s、高速旋转速度为3 000 r/min、高速旋转时间为7 s的条件下,贴片表面5个点的厚度偏差小于2μm,加工晶片的TTV小于5μm。 

【文章来源】：半导体技术. 2020,45(08)北大核心

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
0 引言
1 实验
2 结果与讨论
    2.1 蜡的种类对晶片总厚度变化的影响
    2.2 粘蜡参数对蜡层厚度均匀性的影响
        2.2.1 滴蜡量
        2.2.2 甩蜡
            2.2.2.1 高速旋转时间
            2.2.2.2 高速旋转速度
    2.3 贴片工艺对晶片翘曲度的影响
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]SiC晶片不同晶面的CMP抛光效果对比研究[J]. 陈国美,倪自丰,钱善华,刘远祥,杜春宽,周凌,徐伊岑,赵永武.  人工晶体学报. 2019(01)
[2]钽酸锂单晶片几何参数控制技术研究[J]. 杨洪星,王雄龙,杨静,范红娜,李明佳.  压电与声光. 2018(06)
[3]3英寸SiC衬底无架行星式双面抛光运动学分析[J]. 张鹏,冯显英,杨静芳.  功能材料. 2015(18)
[4]旋涂法制备功能薄膜的研究进展[J]. 王东,刘红缨,贺军辉,刘林林.  影像科学与光化学. 2012(02)
[5]衬底基片表面加工变形问题研究[J]. 周海,王黛萍,陈西府.  盐城工学院学报(自然科学版). 2009(03)

博士论文
[1]硅片化学机械抛光中材料去除非均匀性研究[D]. 孙禹辉.大连理工大学 2011



本文编号：3153675