一种毫米波宽锁定范围的注入锁定倍频器设计

发布时间：2021-05-07 12:31

　　为提高毫米波段倍频器在低功耗下的工作带宽,采用IHP130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种采用双端注入（DEI）技术的毫米波宽锁定范围注入锁定倍频器。该注入锁定倍频器主要由谐波发生器和带有尾电流源的振荡器构成,由巴伦产生差分信号双端注入振荡器的形式提高三次谐波注入强度,使其在E、W等波段输出宽锁定范围和良好相位噪声性能的三倍频信号。仿真结果表明,注入锁定倍频器在工作电压为1.2 V,输入信号功率为0 dBm时,其锁定范围在57～105 GHz内。在相同工作电压和输入信号功率下,输入频率为32 GHz时,一次、二次和四次谐波抑制大于20 dBc,功耗为9.1 mW。 

【文章来源】：微波学报. 2020,36(05)北大核心CSCD

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
引 言
1 电路设计
    1.1 整体电路结构设计
    1.2 谐波发生器设计
    1.3 核心振荡器设计
2 版图及仿真结果分析
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]W波段高效率二倍频器研究[J]. 晏志祥,赵明华.  微波学报. 2010(S1)



本文编号：3173396