介质中双缺陷电荷对碳纳米管场效应晶体管量子输运特性的影响

发布时间：2021-05-10 19:32

　　用非平衡格林函数理论和紧束缚模型近似计算长沟道弹道输运p型碳纳米管场效应管中电流强度.研究当场效应管介质（SiO₂）中存在两个带电缺陷时,载流子散射所引起的电流强度减小和栅极阈值电压偏移量与缺陷位置的关系.介质中两个缺陷所带电荷Q₁=Q₂=+e（-e为电子电荷）,都靠近源极或者都靠近漏极,或者一个电荷靠近源极另一个电荷靠近漏极.在工作状态下,所引起的电流强度相对减小比介质中只存在单个正电荷Q=+e且靠近源极（或漏极）时所引起的电流强度相对减小大得多.如果两个正电荷都在沟道中央附近,随着两个电荷的轴向距离减小,栅极阈值电压偏移的绝对值明显增加.栅极阈值电压偏移可达到-0.35 V. 

【文章来源】：计算物理. 2020,37(03)北大核心CSCD

【文章页数】：13 页

【文章目录】：
0 引言
1 计算理论
2 数值结果
    2.1 双缺陷电荷在沟道中央附近
    2.2 双缺陷电荷均靠近源(或漏)极
    2.3 一个电荷在沟道中央另一个电荷靠近源(或漏)极
3 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]掺杂菱形BN片的石墨烯纳米带的电子特性[J]. 马瑞,张华林.  计算物理. 2019(01)
[2]基于第一性原理量子输运模拟的并行计算[J]. 张若兴,侯士敏,丑强.  计算物理. 2015(06)
[3]基于第一性原理研究单壁碳纳米管的力学性质[J]. 张立云,顾学文,宋荣利,张娜.  计算物理. 2011(05)



本文编号：3179932