IZO：Li/ZTO：Li双有源层薄膜晶体管的研制

发布时间：2021-05-11 14:06

　　随着氧化物薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）被广泛应用于平板显示领域,越来越多的材料已被证明是良好的有源层材料,如IGZO,ZTO,IZO等。随着现代显示技术的发展与进步,人们也对TFT器件性能提出了更高的要求,传统的单层TFT由于迁移率较低、缺陷态较多、退火温度较高等限制,已逐渐难以满足工业应用的要求。仅通过改变有源层材料,已难以从根本上解决TFT器件的性能问题。针对以上问题,本文利用射频磁控溅射技术制备了 IZO:Li/ZTO:Li双有源层TFT,并通过优化制备条件,成功提高了双有源层器件的性能。本文主要研究工作如下:一、研究了不同的退火温度对IZO:Li/ZTO:Li双有源层TFT器件性能的影响。不同的退火温度对于薄膜的电阻率等性质有较大影响,因此将极大的影响器件性能。当退火温度为400 ℃时,器件的最佳性能为迁移率达到26.2 cm2/Vs,阈值电压为4.3V,开关比为1.3×107;二、研究了在相同的退火温度下,不同有源层厚度的IZO:Li/ZTO:Li双有源层TFT器件的性能。作为对比,本文也研究了在相同的退火温度下,IZO:Li及ZTO:Li ... 

【文章来源】：北京交通大学北京市 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：54 页

【学位级别】：硕士

【文章目录】：
致谢
摘要
ABSTRACT
第一章 绪论
    1.1 薄膜晶体管的历史背景
    1.2 薄膜晶体管的应用及研究现状
    1.3 薄膜晶体管的结构、原理及性能表征
    1.4 本文的研究目标及选题意义
    1.5 论文的主要内容和章节安排
第二章 退火温度对IZO:LI/ZTO:LI TFT性能的影响
    2.1 IZO:LI/ZTO:LI双有源层TFT的制备
    2.2 不同退火温度下的IZO:LI/ZTO:LI双有源层TFT性能分析
    2.3 本章小结
第三章 有源层厚度对IZO:LI/ZTO:LI TFT性能的影响
    3.1 TFT器件的制备
    3.2 不同有源层厚度的TFT器件性能分析
    3.3 本章小结
第四章 氩氧比对IZO:LI/ZTO:LI TFT性能的影响
    4.1 IZO:LI/ZTO:LI双有源层TFT器件的制备
    4.2 不同氩氧比下的IZO:LI/ZTO:LI双有源层TFT器件性能分析
    4.3 本章小结
第五章 结论
参考文献
作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果
学位论文数据集


【参考文献】：
期刊论文
[1]退火温度对ZnO薄膜晶体管电特性的影响[J]. 刘玉荣,任力飞,杨任花,韩静,姚若河,温智超,徐海红,许佳雄.  华南理工大学学报(自然科学版). 2011(09)

博士论文
[1]氧化铟基薄膜晶体管的制备与性能研究[D]. 李彬.北京交通大学 2016

硕士论文
[1]InZnO:N薄膜晶体管的研制[D]. 彭云飞.北京交通大学 2016



本文编号：3181539