InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性

发布时间：2021-05-14 17:36

　　研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15～100 K的电压温度系数（dV/dT）为7.87～8.32 mV/K,在100～300 K的电压温度系数为2.93～3.17 mV/K。由理论模型计算得到该激光器在15～100 K的电压温度系数为2.56～2.75 mV/K,在100～300 K的电压温度系数为3.91～4.15 mV/K。在100～300 K,实验测量与理论模型计算得出的电压温度系数接近,理论模型能较好地模拟激光器的温度电压特性;但在15～100 K相差较大,还需要进一步完善。 

【文章来源】：发光学报. 2020,41(08)北大核心EICSCD

【文章页数】：6 页

【文章目录】：
1 引 言
2 实 验
3 理论模型
4 结果与讨论
    4.1 器件测试结果
    4.2 数值模拟与结果分析
5 结 论


【参考文献】：
期刊论文
[1]InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的激光单模特性研究[J]. 汤瑜,曹春芳,赵旭熠,杨锦,李金友,龚谦,王海龙.  激光与光电子学进展. 2019(13)
[2]外腔反馈对量子点激光器输出特性的影响[J]. 龙睿,王海龙,成若海,龚谦,严进一,汪洋,陈朋,宋志棠,封松林.  发光学报. 2013(04)



本文编号：3186052