光窗口对SiGe/Si异质结光电晶体管光响应的影响

发布时间：2021-05-19 02:35

　　分析了不同光窗口位置和不同光窗口面积对SiGe/Si异质结光电晶体管（HPT）光响应特性的影响.光窗口位于发射区时,HPTs吸收路径长,会产生较多的光生载流子,在发射结界面产生较大的发射结光生电压,有利于发射结的电子注入,因此获得较大的集电极输出电流和光增益.当入射光波长为650 nm,集电极电压为2.0 V,光窗口面积为10μm×10μm时,SiGe/SiHPT的光增益最大可以达到9.24.光窗口位于基区时,在较大的入射光功率下,HPTs吸收区的光生载流子密度大,光生空穴发生快速驰豫的可能性增加,一定程度上缓解了空穴迁移率低对器件工作速度的限制,提高了光特征频率.当入射光波长650 nm,集电极电压2.0 V,光窗口面积为10μm×10μm时,SiGe/SiHPT的光特征频率可达16.75 GHz.对于能够获得更高光增益光特征频率优值的发射区光窗口SiGe/SiHPTs,当光窗口面积从3μm×10μm到50μm×10μm逐渐增加时,电子在发射结界面的有效注入面积增加从而光增益逐渐增大;同时发射结和集电结的结电容也随之增大,RC延迟时间增长,光特征频率却逐渐减小.光增益·光特征频率优值... 

【文章来源】：光子学报. 2020,49(08)北大核心EICSCD

【文章页数】：10 页

【文章目录】：
0 引言
1 SiGe/Si光电晶体管器件结构
2 光窗口位置对SiGe/Si光电晶体管光响应的影响
    2.1 光窗口位置对光增益的影响
    2.2 光窗口位置对光特征频率的影响
3 光窗口面积对SiGe/Si光电晶体管光响应的影响
    3.1 光窗口面积对光增益的影响
    3.2 光窗口面积对光特征频率的影响
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3194947