FA/OⅡ型螯合剂对多层Cu布线CMP后BTA去除的研究
发布时间:2021-05-22 20:56
在化学机械抛光(CMP)过程中,加入苯并三氮唑(BTA)抑制Cu界面和布线条的腐蚀。但同时,会与Cu发生化学反应生成的Cu-BTA钝化膜是CMP后主要的清洗对象之一。采用FA/OⅡ型螯合剂作为清洗液的主要成分,采用接触角测试仪及原子力显微镜来表征BTA的去除效果。通过改变FA/OⅡ型螯合剂的浓度完成一系列对比实验,确定最佳的清洗效果。通过对比实验得知,当清洗液中螯合剂的浓度为1.50×10-4200×10-4时,此时清洗液的pH值>10,能有效去除Cu-BTA钝化膜以及其它残留的有机物,接触角下降到29°,表面的粗糙度较低。
【文章来源】:功能材料. 2016,47(06)北大核心CSCD
【文章页数】:5 页
【文章目录】:
0 引言
1 实验
2 实验结果及分析
3 结论
【参考文献】:
期刊论文
[1]新型碱性清洗剂对BTA去除的研究[J]. 洪姣,刘玉岭,王辰伟,苗英新,段波. 微纳电子技术. 2014(07)
[2]不同体积分数螯合剂对Cu-BTA去除的影响[J]. 苗英新,王胜利,刘玉岭,王辰伟,孙铭斌,洪姣. 微纳电子技术. 2014(07)
本文编号:3201653
【文章来源】:功能材料. 2016,47(06)北大核心CSCD
【文章页数】:5 页
【文章目录】:
0 引言
1 实验
2 实验结果及分析
3 结论
【参考文献】:
期刊论文
[1]新型碱性清洗剂对BTA去除的研究[J]. 洪姣,刘玉岭,王辰伟,苗英新,段波. 微纳电子技术. 2014(07)
[2]不同体积分数螯合剂对Cu-BTA去除的影响[J]. 苗英新,王胜利,刘玉岭,王辰伟,孙铭斌,洪姣. 微纳电子技术. 2014(07)
本文编号:3201653
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