RTL综合中FPGA片上RAM工艺映射
发布时间:2021-06-05 23:00
RAM(Random-Access-Memory,随机存储器)是FPGA(Field Programmable Gate Arrays)片上最重要的宏单元之一,RTL(Register-Transfer-Level)综合对FPGA开发中RAM的有效利用起至关重要作用.本文针对RTL综合中RAM源描述和目标结构多样化带来的技术难题,提出了一种RAM工艺映射方法,即建立工艺无关的RAM统一模型,在模型基础上通过建模、模式匹配、造价计算、绑定四步实现.该方法应用于RTL综合,可以将多种RAM源描述有效地映射到最佳类型和数量的FPGA片上RAM资源.实验数据表明采用该方法实现的RAM工艺映射效果和主流FPGA综合工具——Synplify和XST相当,该模块已经集成在自主开发的RTL综合工具——Hqsyn中并实现商用.
【文章来源】:电子学报. 2016,44(11)北大核心EICSCD
【文章页数】:8 页
【文章目录】:
1引言
2技术难点
3 RAM的工艺映射
3.1工艺无关的RAM模型
3.2 RAM工艺映射实现
3.2.1建模
3.2.2模式匹配
3.2.3造价计算与绑定
4验证分析
5总结
【参考文献】:
期刊论文
[1]RT级综合中存储器工艺映射算法的研究[J]. 周海峰,林争辉. 微电子学. 2001(06)
本文编号:3213085
【文章来源】:电子学报. 2016,44(11)北大核心EICSCD
【文章页数】:8 页
【文章目录】:
1引言
2技术难点
3 RAM的工艺映射
3.1工艺无关的RAM模型
3.2 RAM工艺映射实现
3.2.1建模
3.2.2模式匹配
3.2.3造价计算与绑定
4验证分析
5总结
【参考文献】:
期刊论文
[1]RT级综合中存储器工艺映射算法的研究[J]. 周海峰,林争辉. 微电子学. 2001(06)
本文编号:3213085
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