Be掺杂对InGaAsN/GaAs量子阱性能的提高（英文）

发布时间：2021-06-06 10:57

　　InGaAsN/GaAs量子阱中进行铍（Be）元素重掺杂能显著提高其光学性质,并且发光波长发生了红移。X射线衍射摇摆曲线清楚地证实了铍掺杂抑制了InGaAsN（Be）/GaAs量子阱在退火过程中的应力释放。对比退火前,退火后的没有进行铍掺杂的量子阱样品的量子阱的X射线摇摆曲线衍射峰明显向GaAs衬底峰偏移;而对于掺铍的量子阱样品而言,这样的偏移要小很多。 

【文章来源】：发光学报. 2017,38(08)北大核心EICSCD

【文章页数】：7 页

【文章目录】：
1 Introduction
2 Experiments
3 Results and Discussion
4 Conclusion



本文编号：3214244