专用集成电路技术在高速数据传输系统与科学级CCD成像系统中的研究
发布时间：2021-06-08 18:53
专用集成电路（Application-Specific Integrated Circuit,ASIC）是针对特殊用户或者特定电子系统的需求而专门设计、制造的集成电路,它一般用在普通商业芯片无法满足需求的地方,比如高辐照环境的高能粒子物理实验、空间紧凑的天文成像系统等。在高能粒子物理实验领域,CERN为ATLAS/CMS探测器开发了抗辐照的高速数据收发芯片——低功耗千兆数据收发器（LpGBTX）,用来传输前端电子学产生的海量数据。它采用商业65 nm CMOS工艺设计,数据带宽可达10.24 Gb/s,总剂量效益达到200 Mrad.在此高速数据传输芯片中,时序的裕量变得非常紧张,良好的时序关系是数据传输正确的基本保证,为此开展了时序相位高精度调节的研究工作,包括数据相位调整和时钟相位调整。为了保证前端电子学数据能被LpGBTX正确地采样到,研究设计了 Phase-Aligner用来移动数据的相位,使之与时钟对齐;研究设计了 Phase-Shifter,将输入时钟在360°范围内,以48.8 ps的精度调节后输出给前端电子学,做系统间时钟同步用。Phase-Aligner和Phase-...
【文章来源】：中国科学技术大学安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：129 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
图１．１世界上首款集成电路??
电路所能容纳的晶体管数量从最初的数十个发展到目前的数十亿个，并且仍??在高速增长中，其增长的规律基本符合摩尔定律（Ｍｏｏｒｅ’ｓＬａｗ）：集成电路中晶??体管的数量每隔１８个月翻一番［８］。晶体管数量的变化趋势如图１．２所示。??Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ?Ｐ？ｒ?Ｄｉ？??１〇？??１０，Ｃ?５１２Ｍ?１Ｇ．２６?＊??＿?Ｍｅｍｏｒｙ?２５６Ｍ?發參??Ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｏｒ?＃??１６Ｍ?ＰｗｔｈＢｔｆ?４??Ｐｔｎｔｋｍｆ?ｌｉｉ??１Ｍ?．?發．?ＰｅｎｔｉｕｎＰ?ｎ??１０ｓ?７ｃｃＫ?’?Ｐｔｒｔｋｉｎｆ??１０Ｓ?？Ｉｆ?？?＾?＾??ｉ〇＜?，潑镂?—??％?８０明??价?４００４?＾????１〇２?ＩＣ?Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ?ｔｏ?Ｇｏｒｄｏｎ?Ｍｏｏｒｅ；ｓ?Ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎ??１０、．，????１０°????＊６０?’６５?７０?７５?’８０?，８５?’９０?９５?，００?，０５?，１０??图１．２晶体管数量变化趋势??１Ｃ集成规模的增长得益于ＭＯＳ管尺寸的不断缩小，其特征尺寸从早期的几??微米，发展到如今的１０ｉｉｍ以下，己经快逼近硅基半导体的极限，变化趋势如图??１．３所示。尺寸的缩小也基本遵循摩尔定律：每两年左右更新一代
电路所能容纳的晶体管数量从最初的数十个发展到目前的数十亿个，并且仍??在高速增长中，其增长的规律基本符合摩尔定律（Ｍｏｏｒｅ’ｓＬａｗ）：集成电路中晶??体管的数量每隔１８个月翻一番［８］。晶体管数量的变化趋势如图１．２所示。??Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ?Ｐ？ｒ?Ｄｉ？??１〇？??１０，Ｃ?５１２Ｍ?１Ｇ．２６?＊??＿?Ｍｅｍｏｒｙ?２５６Ｍ?發參??Ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｏｒ?＃??１６Ｍ?ＰｗｔｈＢｔｆ?４??Ｐｔｎｔｋｍｆ?ｌｉｉ??１Ｍ?．?發．?ＰｅｎｔｉｕｎＰ?ｎ??１０ｓ?７ｃｃＫ?’?Ｐｔｒｔｋｉｎｆ??１０Ｓ?？Ｉｆ?？?＾?＾??ｉ〇＜?，潑镂?—??％?８０明??价?４００４?＾????１〇２?ＩＣ?Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ?ｔｏ?Ｇｏｒｄｏｎ?Ｍｏｏｒｅ；ｓ?Ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎ??１０、．，????１０°????＊６０?’６５?７０?７５?’８０?，８５?’９０?９５?，００?，０５?，１０??图１．２晶体管数量变化趋势??１Ｃ集成规模的增长得益于ＭＯＳ管尺寸的不断缩小，其特征尺寸从早期的几??微米，发展到如今的１０ｉｉｍ以下，己经快逼近硅基半导体的极限，变化趋势如图??１．３所示。尺寸的缩小也基本遵循摩尔定律：每两年左右更新一代
【参考文献】：
期刊论文
[1]CCD噪声分析及处理技术[J]. 许秀贞,李自田,薛利军. 红外与激光工程. 2004(04)
本文编号：3219007
【文章来源】：中国科学技术大学安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：129 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
图１．１世界上首款集成电路??
电路所能容纳的晶体管数量从最初的数十个发展到目前的数十亿个，并且仍??在高速增长中，其增长的规律基本符合摩尔定律（Ｍｏｏｒｅ’ｓＬａｗ）：集成电路中晶??体管的数量每隔１８个月翻一番［８］。晶体管数量的变化趋势如图１．２所示。??Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ?Ｐ？ｒ?Ｄｉ？??１〇？??１０，Ｃ?５１２Ｍ?１Ｇ．２６?＊??＿?Ｍｅｍｏｒｙ?２５６Ｍ?發參??Ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｏｒ?＃??１６Ｍ?ＰｗｔｈＢｔｆ?４??Ｐｔｎｔｋｍｆ?ｌｉｉ??１Ｍ?．?發．?ＰｅｎｔｉｕｎＰ?ｎ??１０ｓ?７ｃｃＫ?’?Ｐｔｒｔｋｉｎｆ??１０Ｓ?？Ｉｆ?？?＾?＾??ｉ〇＜?，潑镂?—??％?８０明??价?４００４?＾????１〇２?ＩＣ?Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ?ｔｏ?Ｇｏｒｄｏｎ?Ｍｏｏｒｅ；ｓ?Ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎ??１０、．，????１０°????＊６０?’６５?７０?７５?’８０?，８５?’９０?９５?，００?，０５?，１０??图１．２晶体管数量变化趋势??１Ｃ集成规模的增长得益于ＭＯＳ管尺寸的不断缩小，其特征尺寸从早期的几??微米，发展到如今的１０ｉｉｍ以下，己经快逼近硅基半导体的极限，变化趋势如图??１．３所示。尺寸的缩小也基本遵循摩尔定律：每两年左右更新一代
电路所能容纳的晶体管数量从最初的数十个发展到目前的数十亿个，并且仍??在高速增长中，其增长的规律基本符合摩尔定律（Ｍｏｏｒｅ’ｓＬａｗ）：集成电路中晶??体管的数量每隔１８个月翻一番［８］。晶体管数量的变化趋势如图１．２所示。??Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ?Ｐ？ｒ?Ｄｉ？??１〇？??１０，Ｃ?５１２Ｍ?１Ｇ．２６?＊??＿?Ｍｅｍｏｒｙ?２５６Ｍ?發參??Ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｏｒ?＃??１６Ｍ?ＰｗｔｈＢｔｆ?４??Ｐｔｎｔｋｍｆ?ｌｉｉ??１Ｍ?．?發．?ＰｅｎｔｉｕｎＰ?ｎ??１０ｓ?７ｃｃＫ?’?Ｐｔｒｔｋｉｎｆ??１０Ｓ?？Ｉｆ?？?＾?＾??ｉ〇＜?，潑镂?—??％?８０明??价?４００４?＾????１〇２?ＩＣ?Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ?ｔｏ?Ｇｏｒｄｏｎ?Ｍｏｏｒｅ；ｓ?Ｐｒｅｄｉｃｔｉｏｎ??１０、．，????１０°????＊６０?’６５?７０?７５?’８０?，８５?’９０?９５?，００?，０５?，１０??图１．２晶体管数量变化趋势??１Ｃ集成规模的增长得益于ＭＯＳ管尺寸的不断缩小，其特征尺寸从早期的几??微米，发展到如今的１０ｉｉｍ以下，己经快逼近硅基半导体的极限，变化趋势如图??１．３所示。尺寸的缩小也基本遵循摩尔定律：每两年左右更新一代
【参考文献】：
期刊论文
[1]CCD噪声分析及处理技术[J]. 许秀贞,李自田,薛利军. 红外与激光工程. 2004(04)
本文编号：3219007
本文链接：https://www.wllwen.com/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3219007.html
