内置触发方式下单级FLTD触发脉冲参数及影响因素

发布时间：2021-06-09 14:16

　　为了研究快放电直线型变压器驱动源（FLTD）内置触发方式下触发脉冲的波形参数及其影响因素,利用有限积分法（FIT）仿真软件,建立单级FLTD场路仿真模型,获得了到达各主支路开关的触发脉冲参数及其影响因素,并在1MA FLTD实验平台上进行了验证。仿真结果表明:内置触发方式下,触发支路电感由100nH增大至350nH时,触发脉冲前沿由49.3ns增大至60.1ns;在触发支路置地电阻小于200Ω时,触发脉冲幅值随电阻增大而增大,在电阻高于200Ω后,置地电阻不影响触发脉冲幅值;角向传输线特征阻抗在58.0～76.5Ω范围变化时对触发脉冲波形参数影响较小。 

【文章来源】：西安交通大学学报. 2020,54(06)北大核心EICSCD

【文章页数】：7 页

【部分图文】：

单级FLTD内置触发方式下感应腔结构示意图

角向传输线与触发金属环结构布局如图2所示，角向传输线和触发金属环均由宽8mm、高4mm的矩形铜环制成，内嵌在聚乙烯中间绝缘板中，中间绝缘板上下两侧均为电容器。为了精简模型，电容器结构仅保留内侧金属极板与绝缘外壳。触发脉冲沿角向传输线、触发金属环与两侧电容器金属极板构成带状传输线传输，传输线介质为中间绝缘板和电容器绝缘外壳。2.2.2 触发支路和主支路等效电路

触发支路等效电路如图3所示，C1、C2为触发支路电容，均为50nF,C1充正电，C2充负电，R为充电置地电阻，为2kΩ，S为触发开关，L为回路电感，约160nH。主支路等效电路如图4所示，R为触发隔离电阻，为450Ω，L为隔离电阻寄生电感，约2μH,C为开关分布电容与主支路电容串联等效电容，约3pF。

【参考文献】：
期刊论文
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硕士论文
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本文编号：3220733