薄层硒化铟的光谱及载流子动力学性质研究

发布时间：2021-06-10 08:57

　　硒化物是一类层状半导体二维材料,由于其高的光吸收效率、宽的光致发光响应、良好的空气稳定性和欧姆接触性在近年年来备受关注。薄层硒化铟具有良好的电子和光电子特性,是一类很有前途的二维半导体材料。薄层硒化铟的能带结构和光学性质都强烈依赖层数变化,因此研究层数的变化对于薄层硒化铟中振动模式以及激发态性质的影响对于其在光电器件上的应用研究尤其重要。本课题利用用机械剥离法分别在玻璃基底和硅基底上制备薄层硒化铟。其厚度及表面形貌利用原子力显微镜方法进行表征,并探究一种快速、高效、能够大规模检测薄膜厚度的光学对比度方法。通过测量不同层数薄层硒化铟的拉曼光谱、吸收光谱及荧光光谱,分析入射光偏振角度及层数变化对拉曼特征峰的影响,理论解释1-2 nm硒化铟中A²_1g拉曼共振峰消失的原因,并给出拉曼峰强度与硒化铟厚度之间的依赖关系;拟合计算出不同厚度硒化铟的吸收峰以及荧光峰位置,研究荧光光谱随硒化铟片层厚度的变化规律,理论解释薄层硒化铟中直接带隙-间接带隙之间的过渡与交绕机制。通过瞬态显微吸收成像技术研究薄层硒化铟的动力学曲线,探究不同厚度硒化铟材料中载流子的弛豫动... 

【文章来源】：哈尔滨工业大学黑龙江省 211工程院校 985工程院校

【文章页数】：57 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

InSe的晶体结构(a)侧视图；(b)俯视图

γ-InSe的堆积[28]

- 4 - 1-3 由 DFT 理论计算出的单层 InSe 能带结构比较复杂，主要包括 、β、γ、 、和。二维材料的光电学性质和化学性质与2Se3之间性能也有很大的差异。其中 泛的研究。 -In2Se3为直接带隙半导体Se3的晶体结构示意图。在 定的温度，但两者的晶格常数不同，因此电学性为无序的纤锌矿和单斜晶体结构[33]。

【参考文献】：
期刊论文
[1]用等效反射面计算多层介质的振幅反射系数[J]. 雷清儒.  西南民族学院学报(自然科学版). 1993(03)

博士论文
[1]硒化铟纳米薄膜的制备及其电学和光电性能研究[D]. 冯伟.哈尔滨工业大学 2017



本文编号：3222083