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缺陷对g-C 3 N 4 /TiO 2 复合半导体光电化学性能的影响研究

发布时间:2021-06-15 12:22
  在众多半导体催化剂中,TiO2因具有强氧化性、较好的紫外光吸收能力、良好的分散性、无毒性、稳定性等优点受到广泛关注。在TiO2的各种形态中,TiO2纳米管有序的阵列结构使其具有独特的光电化学性能,比表面积更大和吸附能力更佳,且方便回收利用。但它较宽的带隙能,仍旧摆脱不了TiO2材料光能利用率低的问题。设计和构筑复合半导体材料是提高半导体光催化性能的主要途径。g-C3N4作为一种新型的半导体材料,与TiO2进行半导体复合,有利于光生载流子的转移,增加光能利用率,然而典型的II型复合半导体结构还原与氧化能力相对较弱,如何在复合半导体界面形成有效的电荷传输,加快电子空穴分离的同时保持良好的氧化还原能力是值得研究的课题。本文以阳极氧化法制备的TiO2纳米管阵列为前驱体构筑了含有界面缺陷的g-C3N4/TiO2复合半导体,深入研究了g-C3

【文章来源】:河南大学河南省

【文章页数】:79 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

缺陷对g-C 3 N 4 /TiO 2 复合半导体光电化学性能的影响研究


TiO2晶型结构示意图

形成速率,无氟,形貌变化,含氟


(a)和(b)钛氧化机理示意图,(c)含氟和无氟电解液中的电流-时间曲线,(d)化的不同阶段 TiO2的形貌变化,(e)TiO2溶解-形成速率一致时的稳态图[21]iO2纳米管阵列的应用与其光学、电学和化学性能有关。调研文献可知,Zh了不同厚度、不同管径 TiO2纳米管阵列对光催化降解甲基橙的影响,结果

氧缺陷,能带结构,电化学还原法,铝热还原法


图 1-3 含有氧缺陷的 TiO2能带结构图[37]氧缺陷的 TiO2纳米管阵列的研究进展缺陷的的合成方法有很多种:还原性气体 H2热处理法铝热还原法、电化学还原法等[38]。

【参考文献】:
博士论文
[1]新型光解水制氢系统构建与钛基析氧阳极性能研究[D]. 吴红军.东北石油大学 2010

硕士论文
[1]钒氮共掺杂TiO2纳米管阵列薄膜的制备及其光电化学和光催化性能研究[D]. 卢丹丹.河南大学 2015



本文编号:3231044

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