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基于光谱合束的800nm高亮度半导体激光源

发布时间:2021-06-22 01:03
  高功率800 nm波段半导体激光器是远距离照明的优选光源之一,但受光束质量及亮度限制,难以远距离传输,提升高功率800 nm半导体激光器的光束质量及亮度是关键。光谱合束方法在保持激光单元的光束质量时,提高了激光功率和亮度。基于光谱合束方法,结合芯片增益光谱来优化合束谱宽和结构,耦合10个800 nm激光线阵,研制出连续功率为363.5 W,光束质量为4.17 mm·mrad,亮度为212 MW/(cm2·sr)的激光源,电光转换效率为40%。通过进一步结构优化及偏振合束,有望获得千瓦级的高功率800 nm半导体激光,为远距离激光照明提供高性能光源。 

【文章来源】:中国激光. 2020,47(07)北大核心EICSCD

【文章页数】:5 页

【部分图文】:

基于光谱合束的800nm高亮度半导体激光源


基于透射光栅的光谱合束结构

电压图,激光,半导体,功率


激光巴条经传导热沉封装的激光线阵直接输出的特性[12-13]如图2所示,热沉温度为20 ℃,由于前腔面镀增透膜,谐振腔损耗大,谐振阈值较高,达15 A,斜率效率为1.04 W/A,50 A电流驱动下输出功率为35.2 W,最高电光转换(E-O)效率为39.3%。在20 A电流驱动下,采用积分球收光,测试输出光谱特性,结果如图3所示,中心波长为794 nm,在780.0~802.5 nm宽谱段内存在一定增益,这为后续光谱锁定范围提供了参考。

光谱特性,半导体,激光,衍射效率


在20 A电流驱动下,采用积分球收光,测试输出光谱特性,结果如图3所示,中心波长为794 nm,在780.0~802.5 nm宽谱段内存在一定增益,这为后续光谱锁定范围提供了参考。所采用的透射光栅的线数为1765 line/mm,波长为808 nm,θlittrow为44.93°,色散为2.49 mrad/nm,TE线偏振光的一级衍射效率最高为94%,在770~830 nm波段的一级衍射效率大于90%,如图4所示。


本文编号:3241795

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