基于新型嵌段共聚物定向自组装（BCPs-DSA）光刻技术研究

发布时间：2021-06-22 19:49

　　在过去50年期间,光刻技术是促进先进集成电路设计及其器件更新换代的核心技术之一,每一代新的集成电路种类的出现,总是以光刻工艺实现更小特征尺寸为主要技术标志的。半导体集成电路技术一直沿着摩尔定律预言的速度迅速发展,其战略核心就是通过工艺技术科学研究上的创新实现半导体器件关键尺寸的不断缩小。光刻技术是实现器件小型化战略的关键所在,但在发展的过程中光刻的成本与工艺复杂度也是与日俱增。目前,工业界、学术界及其他许多科研院所采用193nm/EUV光刻,并结合浸没式光刻技术、双（多）重图形曝光技术,193nm/EUV光刻技术已经将半导体技术节点延伸到32nm、20nm、16nm、14nm、10nm,甚至到7nm量产,并继续推进了5/3nm研发,常规的光刻技术几乎到达了其物理极限。然而,极高的工艺研发成本、工艺复杂性、光刻本身的物理限制以及许多光刻胶材料本身设计的缺陷等,都制约着现有光刻技术的进一步发展,尤其在面临推进越来越小纳米尺寸的图形化制作时存在很大的局限性以及缺陷性,工业界和学术界和其他科研院所正急需一种能兼顾精度与成本的解决方案。国际半导体技术蓝图（ITRS）在2013年提出,下一代光刻技... 

【文章来源】：贵州大学贵州省 211工程院校

【文章页数】：112 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

定向自组装概念的说明图：即为诱导结构加上BCP材料的自组装

图 2. 二嵌段共聚物与三嵌段共聚物示意图嵌段共聚物的分子移动在高浓度溶剂蒸汽环境，或高温这种 非场 条件下能够极大的增强，由于嵌段共聚物需要共价键相连接的两个嵌段化学性质不同，嵌段共聚物分子会自发移动以达到热平衡状态并达到有序的周期纳米结构；在外

图 3. 二嵌段共聚物自组装结构示意图一般情况下，当两种嵌段的体积分数相等，即均为 0.5 时，嵌段共聚物可以自组装成图三中的（L）结构，当它们体积分数比在约 6.5:3.5 时，则更容易自组装形成图 1.2 中的柱状相图形结构（C,C’）。


本文编号：3243434