评价功率VDMOS器件SEB效应的畸变NPN模型

发布时间：2021-06-26 06:43

　　构建了一个半径为0.05μm的圆柱体,用于模拟单粒子辐射功率VDMOS器件的粒子径迹,且圆柱体内新生电子和新生空穴的数目沿圆柱体的半径方向呈高斯分布。考虑到功率VDMOS器件的SEB效应与寄生NPN具有直接关系,提出了一种畸变NPN模型,并通过合理假设,推导出功率VDMOS器件在单粒子辐射下安全漏源偏置电压的解析式。结果表明,使用解析式计算得到的SEB阈值与TCAD仿真结果吻合较好。该模型可被广泛用于功率VDMOS器件SEB效应的分析和评价,为抗辐射功率VDMOS器件的选型及评价提供了一种简单和廉价的方法。 

【文章来源】：微电子学. 2020,50(02)北大核心

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
0 引 言
1 描述SEB效应的畸变NPN模型
    1.1 重粒子辐射半导体材料的圆柱体模型
    1.2 寄生NPN晶体管CB结的畸变模型
2 畸变NPN晶体管CB结耗尽区电场
    2.1 辐射前寄生NPN晶体管CB结耗尽区电场
    2.2 辐射后寄生NPN晶体管CB结耗尽区电场
3 验证与讨论
4 结 论


【参考文献】：
期刊论文
[1]SEGR- and SEB-hardened structure with DSPSOI in power MOSFETs[J]. Zhaohuan Tang,Xinghua Fu,Fashun Yang,Kaizhou Tan,Kui Ma,Xue Wu,Jiexing Lin.  Journal of Semiconductors. 2017(12)
[2]功率VDMOS器件抗SEB/SEGR技术研究进展[J]. 唐昭焕,杨发顺,马奎,谭开洲,傅兴华.  微电子学. 2017(03)
[3]VDMOSFET二次击穿效应的研究[J]. 张丽,庄奕琪,李小明,姜法明.  现代电子技术. 2005(04)



本文编号：3250841