基于耦合腔的太赫兹垂直传输结构（英文）

发布时间：2021-06-28 17:24

　　提出了一种工作在110 GHz的耦合腔垂直传输结构。在垂直金属腔的两端对称地装配两个模式变换单元,作为波导的两个激励端口。模式变换单元在50μm厚度石英基片上实现,该基片采用通孔结构和双面镀金工艺。因此,该垂直传输结构在太赫兹频段具有较低的插入损耗。仿真结果与测试结果拟合良好,模式变换单元的S21仿真结果为-0.7 dB,测试结果小于-1.3 dB,在105～116 GHz带宽的反射系数低于-10 dB。 

【文章来源】：红外与激光工程. 2020,49(06)北大核心EICSCD

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本文编号：3254741