AlGaN/GaN MIS-HEMT功率开关器件电学特牲研究

发布时间：2021-07-01 17:55

　　氮化镓（Ga N）基高电子迁移率晶体管（HEMT）作为功率开关器件,具有高功率、高频率和高击穿电压等优良的特性,同时可以在高温高辐射等恶劣环境下正常工作,因此已成为国内外的研究热点之一。虽然Ga N基HEMT经过多年研究开发并取得了重要进展,但在实际应用中仍然存在一些尚待解决的问题,最显著的便是电流崩塌问题,这严重的影响了HEMT器件的可靠性;此外,传统器件栅电极通过肖特基接触实现,从而导致过大的栅泄漏电流和过低的击穿电压。Ga N基器件中另一种重要的金属/半导体接触—欧姆接触也存在很多工艺问题,如表面形貌差、热稳定性不好等。这些问题也都对Ga N基HEMT器件的可靠性产生了严重影响,对此,我们也进行了一些研究。本文采用MIS（金属/介质层/半导体）栅器件结构,在优化设计器件结构的基础上,研究探索了器件制备技术条件和工艺流程,成功制备出了Al Ga N/Ga N MIS-HEMT功率开关器件并对其性能进行了分析测试,取得如下实验研究成果:（1）在优化选择衬底材料和功率开关器件结构的基础上,制备出Al Ga N/Ga N MIS-HEMT功率开关器件,电学特性测试发现其性能得到了很大的提... 

【文章来源】：重庆师范大学重庆市

【文章页数】：68 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

AlGaN/GaN HEMT 器件结构剖视图

[0001]方向生长的AlGaN和GaN的自发极化方向

.185 0.376 -0.029 0.73 -0.49 .705 0.377 -0.032 -0.57 0.97 由于两种材料之间存在强烈的晶格失配，从。异质结的方向如图 2.3 所示。

【参考文献】：
期刊论文
[1]AlN插入层与AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的关系[J]. 李诚瞻,刘键,刘新宇,薛丽君,陈晓娟,和致经.  半导体学报. 2006(06)
[2]调制掺杂AlGaN/GaN异质结上的Pt肖特基接触[J]. 刘杰,沈波,周玉刚,周慧梅,郑泽伟,张荣,施毅,郑有炓.  固体电子学研究与进展. 2002(04)
[3]硅基GaN薄膜的外延生长[J]. 张昊翔,叶志镇,卢焕明,赵炳辉,阙端麟.  半导体学报. 1999(02)



本文编号：3259600