MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究
发布时间:2021-07-03 03:16
采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超晶格结构的势垒层外延方法,基于原子层间近晶格匹配和超晶格的原子层调制作用,有效改善了势垒层材料质量和表面形貌,提升了异质结料的电学特性,室温下电子迁移率达到1 620cm2/(V·s),方块电阻217.2Ω/。
【文章来源】:固体电子学研究与进展. 2017,37(04)北大核心CSCD
【文章页数】:5 页
【文章目录】:
引言
1 实验
2 结果与讨论
3 结论
本文编号:3261750
【文章来源】:固体电子学研究与进展. 2017,37(04)北大核心CSCD
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引言
1 实验
2 结果与讨论
3 结论
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