基于MBE替代硅衬底的材料综述
发布时间：2021-07-05 08:51
主要介绍了几种用MBE技术生长HgCdTe/CdTe的Si衬底的替代性衬底材料的基本参数,以及不同材料的最新生长过程及结果,和对它们的生长结果的比较分析,以此来选择较为适合替代Si衬底来生长HgCdTe/CdTe的衬底。本文通过一系列的对比,得出目前最有发展前景的替代衬底是GaSb衬底,是未来发展的方向。
【文章来源】：激光与红外. 2020,50(06)北大核心CSCD
【文章页数】：8 页
【部分图文】：
几种HgCdTe外延用衬底的室温晶格常数和热膨胀系数 表格显示了四种替代衬底与HgCdTe之间的晶格常数 和热膨胀系数失配情况
西澳大利亚大学[12-15]在2018年使用Riber 32P 分子束外延系统生长 CdTe薄膜。首先在580 ℃进行热处理,生长150～200 nm厚的ZnTe过度层,之后降温到280～300 ℃生长2～3 μm厚的CdTe薄膜,其半峰宽最优可以达到33 arcsec。采用Everson腐蚀液腐蚀15 s后,其腐蚀坑密度平均值可以达1.4×105 cm-2。图3[12] CdTe/GaSb(211)B的AFM表面图及高度剖面,图4[12](a)和(b)分别为CdTe/GaSb(211)B原生及经腐蚀后的SEM表面。西澳大利亚大学早在2015年就对GaAs(211)和 GaSb(211)衬底生长HgCdTe进行了比较,按照如图5[14]所示的生长顺序进行生长,在GaAs衬底上多生长了一层ZnTe过渡层,之后再依次生长CdTe与HgCdTe薄膜。图6[14]分别为在GaAs和 GaSb衬底上生长HgCdTe后的X-Ray Diffraction(XRD)曲线、生长HgCdTe时的RHEED图像和经腐蚀后的材料表面。
GaAs(211)和GaSb(211)上生长HgCdTe图解
【参考文献】：
期刊论文
[1]Influence of Surface Structures on Quality of CdTe（100） Thin Films Grown on GaAs（100） Substrates[J]. 顾义,郑慧君,陈熙仁,李家明,聂天晓,寇煦丰. Chinese Physics Letters. 2018(08)
[2]3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力研究[J]. 林占文,韩福忠,耿松,李雄军,史琪,王向前. 红外技术. 2018(04)
[3]碲镉汞红外焦平面阵列探测器技术的最新进展(上)[J]. 高国龙. 红外. 2018(02)
[4]MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活[J]. 赵真典,陈路,傅祥良,王伟强,沈川,张彬,卜顺栋,王高,杨凤,何力. 红外与毫米波学报. 2017(05)
[5]MBE外延InSb基CdTe工艺研究[J]. 王丛,刘铭,王经纬,尚林涛,周立庆. 激光与红外. 2017(04)
[6]InSb分子束外延原位掺杂技术研究[J]. 刘铭,邢伟荣,尚林涛,周朋,程鹏. 激光与红外. 2015(07)
[7]砷化镓材料技术发展及需求[J]. 周春锋,兰天平,孙强. 天津科技. 2015(03)
[8]碲镉汞外延用衬底材料的现状和发展[J]. 周立庆. 激光与红外. 2005(11)
[9]分子束外延CdTe（211）B/Si复合衬底材料[J]. 陈路,王元樟,巫艳,吴俊,于梅芳,乔怡敏,何力. 红外与毫米波学报. 2005(04)
本文编号：3265762
【文章来源】：激光与红外. 2020,50(06)北大核心CSCD
【文章页数】：8 页
【部分图文】：
几种HgCdTe外延用衬底的室温晶格常数和热膨胀系数 表格显示了四种替代衬底与HgCdTe之间的晶格常数 和热膨胀系数失配情况
西澳大利亚大学[12-15]在2018年使用Riber 32P 分子束外延系统生长 CdTe薄膜。首先在580 ℃进行热处理,生长150～200 nm厚的ZnTe过度层,之后降温到280～300 ℃生长2～3 μm厚的CdTe薄膜,其半峰宽最优可以达到33 arcsec。采用Everson腐蚀液腐蚀15 s后,其腐蚀坑密度平均值可以达1.4×105 cm-2。图3[12] CdTe/GaSb(211)B的AFM表面图及高度剖面,图4[12](a)和(b)分别为CdTe/GaSb(211)B原生及经腐蚀后的SEM表面。西澳大利亚大学早在2015年就对GaAs(211)和 GaSb(211)衬底生长HgCdTe进行了比较,按照如图5[14]所示的生长顺序进行生长,在GaAs衬底上多生长了一层ZnTe过渡层,之后再依次生长CdTe与HgCdTe薄膜。图6[14]分别为在GaAs和 GaSb衬底上生长HgCdTe后的X-Ray Diffraction(XRD)曲线、生长HgCdTe时的RHEED图像和经腐蚀后的材料表面。
GaAs(211)和GaSb(211)上生长HgCdTe图解
【参考文献】：
期刊论文
[1]Influence of Surface Structures on Quality of CdTe（100） Thin Films Grown on GaAs（100） Substrates[J]. 顾义,郑慧君,陈熙仁,李家明,聂天晓,寇煦丰. Chinese Physics Letters. 2018(08)
[2]3英寸锗基HgCdTe表面ZnS钝化膜的应力研究[J]. 林占文,韩福忠,耿松,李雄军,史琪,王向前. 红外技术. 2018(04)
[3]碲镉汞红外焦平面阵列探测器技术的最新进展(上)[J]. 高国龙. 红外. 2018(02)
[4]MBE生长碲镉汞的砷掺入与激活[J]. 赵真典,陈路,傅祥良,王伟强,沈川,张彬,卜顺栋,王高,杨凤,何力. 红外与毫米波学报. 2017(05)
[5]MBE外延InSb基CdTe工艺研究[J]. 王丛,刘铭,王经纬,尚林涛,周立庆. 激光与红外. 2017(04)
[6]InSb分子束外延原位掺杂技术研究[J]. 刘铭,邢伟荣,尚林涛,周朋,程鹏. 激光与红外. 2015(07)
[7]砷化镓材料技术发展及需求[J]. 周春锋,兰天平,孙强. 天津科技. 2015(03)
[8]碲镉汞外延用衬底材料的现状和发展[J]. 周立庆. 激光与红外. 2005(11)
[9]分子束外延CdTe（211）B/Si复合衬底材料[J]. 陈路,王元樟,巫艳,吴俊,于梅芳,乔怡敏,何力. 红外与毫米波学报. 2005(04)
本文编号：3265762
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