基于SiGe BiCMOS工艺的X和Ka波段T/R多功能芯片设计

发布时间：2021-07-08 12:47

　　提出了应用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计的全集成X和Ka波段T/R多功能芯片。包括5位数控移相器、低噪声放大器、功率放大器和收发控制开关都被集成在单片上。首次将分布式结构应用在多功能芯片的小信号放大器设计中,而且将堆叠式结构的功放集成在收发芯片中,此两款多功能芯片均有着带宽宽、增益高、输出功率大等优点。其中X波段收发芯片接收、发射增益分别达到25 d B、22 d B,发射输出P-1d B达到28 d Bm;Ka波段收发芯片接收、发射增益分别达到17 d B、14 d B,发射输出P-1 d B达到20.5 d Bm。此两款应用硅基工艺设计的多功能芯片指标均达到国际先进水平,为X和Ka波段相控阵系统的小型化和低成本化提供了良好的条件。 

【文章来源】：微波学报. 2016,32(06)北大核心CSCD

【文章页数】：5 页

【文章目录】：
引言
1 系统设计
2 X、Ka波段多功能芯片电路设计
3 芯片测试结果
4 结论



本文编号：3271599