超快光脉冲照射GaAs晶体产生的干涉环

发布时间：2021-07-20 13:33

　　用飞秒脉冲激光照射砷化镓（gallium arsenide, GaAs）晶体,透射光出现了多级的干涉环.利用透射式Z-扫描光路,改变飞秒脉冲激光入射到GaAs晶体表面时的功率密度,观察到干涉环有规律地收缩（或扩张）:功率密度越大,出现的干涉环越多,张角也越大.高强度飞秒脉冲激光的非线性效应局部地改变了GaAs晶体的折射率,从而导致光程差的出现,这是一种非线性效应（克尔透镜）.超快光脉冲在GaAs晶体里产生的克尔透镜不能像理想的薄透镜那样把光束聚焦,而是让透镜光束形成了干涉环.通过分析干涉环的变化,可以得到GaAs晶体的非线性吸收系数和非线性折射率. 

【文章来源】：物理学报. 2020,69(21)北大核心EISCICSCD

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【参考文献】：
期刊论文
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本文编号：3292920