X波段宽带幅相多功能芯片设计

发布时间：2021-07-23 03:01

　　为了降低相控阵天线T/R组件的尺寸和成本,提高集成度,该文基于0.5μm GaAs pHEMT工艺,设计了一款X波段宽带幅相多功能芯片。芯片在架构设计方面除了集成传统的6位数字移相器、6位数字衰减器、单刀双掷开关和驱动放大器以外,新引入了2位数字延时器,实现了收发通道的幅相与时延的独立控制和单芯片集成,改善了宽带相控阵应用中的波束色散。在幅相特性方面,采用高低通移相网络和开关型衰减拓扑,实现平坦的移相、衰减特性,并有效降低了寄生调幅和附加相移。实测结果表明:8～12 GHz工作频带内,64态移相均方根（RMS）误差小于3.5°,寄生调幅RMS小于0.3dB;64态衰减RMS误差小于0.4 dB,附加相移RMS小于2.5°;延时器延时误差小于1.5 ps。芯片尺寸为5.0 mm×3.5 mm。 

【文章来源】：电子科技大学学报. 2020,49(05)北大核心EICSCD

【文章页数】：10 页

【参考文献】：
期刊论文
[1]一种超小型7～8.5 GHz GaAs多功能芯片[J]. 谢媛媛,赵子润,刘文杰,李远鹏,陈凤霞.  微纳电子技术. 2016(05)



本文编号：3298455