a-Si:H薄膜中Si y H x 结构组态的原子模拟研究

发布时间：2021-07-24 15:30

　　氢化非晶硅薄膜（a-Si:H）中Si_yH_x结构组态对薄膜应用性能有重要影响,然而现有的分析测试手段难以对其进行深入细致的研究.本文运用分子动力学方法模拟分析了a-Si:H/c-Si薄膜中Si_yH_x结构组态,以及衬底温度对其含量的影响;并进一步运用第一性原理方法计算了各Si_yH_x组态中的Si-H键能.结果发现aSi:H薄膜中Si_yH_x结构可以归纳为六种组态.三类为以化学键结合的SiH_x组态,包括SiH,SiH₂和SiH₃;另外三类为以物理键结合的HSi_y组态,包括HSi₂（s）,HSi₂（1）和HSi₃.键能结果反映出六种组态的稳定性由高到低的顺序为SiH> SiH₂> SiH₃> HSi_2<... 

【文章来源】：物理学报. 2020,69(07)北大核心EISCICSCD

【文章页数】：6 页

【参考文献】：
期刊论文
[1]氢化非晶硅中光致亚稳性退化的物理机制[J]. 秦国刚,孔光临.  半导体学报. 1988(01)



本文编号：3300922