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低相干光扫描干涉技术在硅晶片几何特征测量中的应用

发布时间:2021-07-27 02:31
  低相干光扫描干涉技术在表面形貌测量中有着广泛的应用。硅晶片在半导体制造行业中有着重要的作用,对硅晶片的几何特征测量越发重要,目前常见的表面形貌测量方法不能满足同时测量硅晶片前后表面,且不能测量出硅晶片的光学厚度。本文针对硅晶片几何特征的测量设计了一套扫描干涉测量系统。本文的主要工作如下:(1).本文分析与总结了各种表面形貌的测量方法,比较了它们的优缺点。对硅晶片几何特征量的测量理论基础进行了分析,从而选择适用于硅晶片几何特征测量的方法。(2).搭建了以迈克尔逊干涉为基础的近红外低相干光扫描干涉测量系统,针对掺杂硅晶片的特性,对系统装置进行了优化与改进。对光源、CCD相机、步进电机、光学元器件进行了分析与选择。对测量系统的组成:光学系统、驱动及控制系统、图像采集及数据处理系统进行了详细的介绍。(3).对多种表面三维形貌重构算法进行了分析,最终在重心法的基础上加以改进和优化,使用了加权递归质心算法重构表面三维形貌。测量了三种掺杂浓度硅晶片的前后表面形貌,并进行了分析。(4).测量硅晶片光学厚度时,使用低相干扫描干涉方法测量,同时使用了SRI方法测量单点的光学厚度,两种结果做了对比,验证了本... 

【文章来源】:合肥工业大学安徽省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:72 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

低相干光扫描干涉技术在硅晶片几何特征测量中的应用


表面形貌测量技术分类Fig1.1Classificationofsurfacetopographymeasurementtechniques

原理图,表面形貌测量,接触式,原理


探针测量方法量程大且精度较高,仪器的操作使用比较简单简单及非金属表面。其主要优点有:(1)设备结构比较简单,操作简较便携。(2)测量范围大,通过探针的多次移动可以获得较大尺貌信息。(3)分辨率较高,目前世界上最先进的轮廓测量仪器的到 0.1~0.2nm,垂直动态范围可达 6mm。该技术也有很多缺点:(1)测量待测物体表面时,探针需与待测触,因此会产生一定的压力,从而探针可能会划伤被测表面,增也使被测物产生了损坏。测量仪器的长期的使用,也会使探针磨探针具有一定的直径,在测量小孔、沟槽时,会影响表面形貌测量环境下需要减小探针直径,但是这种措施会增加探针与被测面的接待测物体的表面。(3)使用接触式测量表面形貌时需要较长的时要依次接触待测物体表面,测量不能一次性完全覆盖整个表面,的重要缺点之一。(4)表面的三维形貌测量需要获得一系列平行,并且由于待测物体表面轮廓的周期性波动,这些数据的处理变得

干涉显微镜,分束器,聚焦透镜,视场


因此这两束光斑会有一定的相位差,通过测量相位差,可以获得待测表面形貌信息[36]。(2)干涉显微法是采用光学干涉原理来测量表面形貌[37-39]。根据干涉光路的结构不同,可分为 Michelson 型、Mirau 型和 Linnik 型干涉显微镜,结构如图 1.3所示。其中 Michelson 型干涉显微通过分束器将平行光束分成两束光束,其中一束光照射到参考镜后被反射,另一束照射到待测物体表面反射,两束光在分束器处发生干涉,但是其使用工作距离较长的显微物镜,会影响到水平测量分辨率。在Mirau 型干涉显微镜中,光束通过聚焦透镜聚焦穿过参考镜,在分束器处分成两束,一束照射到待测物体表面并反射回系统视场处,另一束在分束器处直接反射回到视场处,两束光在视场处发生干涉。Mirau 型干涉显微镜由于物镜对参考光束和测量光束的影响相同,因而测量时不会引入附加的光程差。同时参考光路和测量光路的工作条件接近,可以排除很多干扰因素,因此抗干扰性能好。Linnik 型干涉显微镜参考光束路径与测量光束路径不同,并且使用具有相同性能和高精度的两个聚焦透镜,且待测物体与聚焦透镜之间没有其他光学器件,因此其具有较高的放大率。


本文编号:3304885

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