GaN微电子学的新进展

发布时间：2021-08-03 06:20

　　进入21世纪后,GaN微电子发展迅速,2011年进入工程化。在5G移动通信等新一代应用的牵引下,GaN微电子的创新更加活跃,正开始步入高新产业的发展阶段。介绍了GaN微电子在新器件结构与工艺、微波混合集成、微波单片集成电路（MMIC）、集成电路和异构集成等方面的最新进展,主要包括新的势垒结构、新的器件结构和工艺、大尺寸Si基器件、高导热金刚石基器件、新的电路拓扑、新的3D集成技术和可靠性研究等,以及在微波电子学和功率电子学两大应用领域的最新成果。分析和评价了SiC基、Si基GaN微电子等的发展态势。 

【文章来源】：半导体技术. 2020,45(01)北大核心

【文章页数】：17 页

【文章目录】：
0 引言
1 GaN新器件结构、工艺和可靠性
    1.1 SiC基的射频D模GaN HEMT
    1.2 Si基的射频D模GaN HEMT
    1.3 Si基E模功率GaN HEMT
    1.4 Si基E模功率GaN HEMT的可靠性
2 GaN 微波电子学
    2.1 4G/5G应用的微波混合集成电路与MMIC
    2.2 卫星应用的GaN微波混合集成电路与MMIC
    2.3 电子应用的GaN微波混合集成电路与MMIC
        2.3.1 GaN PA
        2.3.2 GaN振荡器、低噪声放大器和控制MMIC
    2.4 Si基GaN微波混合集成电路与MMIC


【参考文献】：
期刊论文
[1]一种结构紧凑性能优良的微波功率合成系统[J]. 崔富义,刘富海,方波.  电子器件. 2021(01)
[2]化合物半导体企业HWHX的蓝海战略研究[J]. 苏春,周中林,李春江.  西南科技大学学报(哲学社会科学版). 2021(01)
[3]C波段高效率高线性GaN MMIC功率放大器[J]. 乔明昌,张志国,王衡.  半导体技术. 2021(02)
[4]5G通信基站用化合物半导体射频器件应用场景及发展[J]. 王强,宋学峰.  电子技术与软件工程. 2020(10)



本文编号：3319114