高性能InP/InGaAs宽光谱红外探测器

发布时间：2021-08-04 05:00

　　In P/In0.53Ga0.47As短波红外探测器是一种高性能的近室温工作器件,从200 K到室温下都能获得较好的器件性能,从而大大降低了对制冷的要求。为了充分利用目标在可见光和短波波段的光谱信息,通过特殊的材料结构设计和器件背减工艺,成功实现了320×256In P/In Ga As宽光谱红外探测器,能够同时对可见光和短波红外响应,并从77 K到263 K工作温度下实现了对人脸、计算机及室外2.3 km处的景物成像。测试样管平均峰值探测率为2×1012 cm Hz1/2/W,光谱响应为0.6¹.7μm,光谱响应测试和成像结果同时验证了In P/In Ga As宽光谱探测器对可见光信号的探测。相比标准的In P/In0.53Ga0.47As短波探测器,In P/In Ga As宽光谱探测器显示了可见/短波双波段探测的效果,大大丰富了探测目标的信息量,可显著提升对目标的识别率。 

【文章来源】：红外技术. 2016,38(01)北大核心CSCD

【文章页数】：5 页

【参考文献】：
期刊论文
[1]InGaAs固体微光器件研究进展[J]. 史衍丽,胡锐,张卫锋,冯云祥,邓功荣,褚祝军,李燕红,郭骞,陆强.  红外技术. 2014(02)
[2]InGaAs短波红外探测器研究进展[J]. 张卫锋,张若岚,赵鲁生,胡锐,史衍丽.  红外技术. 2012(06)



本文编号：3321055